[发明专利]基于苯基化修饰方法制备半导体性单壁碳纳米管的方法及其制品和应用

摘要

本发明公开了基于苯基化修饰方法制备半导体性单壁碳纳米管的方法及其制品和应用。所述半导体性单壁碳纳米管的制备方法如下：(1)利用化学气相沉积(CVD)在ST‑cut石英上生长单壁碳纳米管。(2)将在ST‑cut石英中生长的单壁碳纳米管转移到将SiO2/Si基底。(3)将上述SiO2/Si基底浸泡在过氧化苯甲酰溶液中，取出后用氮气吹干并在拉曼激光下照射，最后用异丙醇清洗并用氮气吹干。将上述反应后的SiO2/Si基底构建单壁碳纳米管的场效应晶体管，结果表明此方法制备出的半导体性单壁碳纳米管纯度高于90％。该方法方便快捷，一定程度上减少传统分离方法所带来的各种消极因素的影响，为半导体性单壁碳纳米管的控制制备提出了一种新的研究方向。

主权项

1.一种基于苯基化修饰方法制备半导体性单壁碳纳米管的方法，其特征在于包括以下步骤：S1、利用化学气相沉积法在在基底上上生长单壁碳纳米管；S2、将步骤S1中所生长的单壁碳纳米管转移到SiO₂/Si基底上；S3、将步骤S2中的带有单壁碳纳米管的SiO₂/Si基底浸泡在过氧化苯甲酰溶液中，取出后用氮气吹干并在拉曼激光下照射，产生苯基并与单壁碳纳米管发生反应，最后用异丙醇清洗并用氮气吹干，获得苯基化修饰的半导体性单壁碳纳米管。