[发明专利]光掩膜坯料关联基板的评价方法在审
| 申请号： | 201910531526.5 | 申请日： | 2019-06-19 |
| 公开（公告）号： | CN110618582A | 公开（公告）日： | 2019-12-27 |
| 发明（设计）人： | 木下隆裕 | 申请（专利权）人： | 信越化学工业株式会社 |
| 主分类号： | G03F1/84 | 分类号： | G03F1/84 |
| 代理公司： | 11002 北京路浩知识产权代理有限公司 | 代理人： | 张晶;谢顺星 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 技术问题：提供一种光掩膜坯料关联基板的评价方法，在光掩膜坯料关联基板中，能够简便地评价其表面状态(例如，形成于透明基板上的光学膜等的透射率、光学常数以外的膜质)。解决方案：在光掩膜坯料关联基板的评价方法中，拍摄所述光掩膜坯料关联基板的表面而获取表面图像，并从该获取的表面图像中获取该表面图像的对比度，并利用该获取的表面图像的对比度来评价所述光掩膜坯料关联基板。 | ||
| 搜索关键词： | 光掩膜 基板 坯料 表面图像 关联 表面状态 光学常数 透明基板 光学膜 透射率 膜质 拍摄 | ||
【主权项】：
1.一种光掩膜坯料关联基板的评价方法，其特征在于，/n拍摄所述光掩膜坯料关联基板的表面而获取表面图像，/n从该获取的表面图像中获取该表面图像的对比度，/n利用该获取的表面图像的对比度来评价所述光掩膜坯料关联基板。/n
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
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