[发明专利]承载装置及工艺腔室有效
| 申请号： | 201910531842.2 | 申请日： | 2019-06-19 |
| 公开（公告）号： | CN110211902B | 公开（公告）日： | 2021-08-13 |
| 发明（设计）人： | 兰玥;侯珏 | 申请（专利权）人： | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/687;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 彭瑞欣;张天舒 |
| 地址： | 100176 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种承载装置及工艺腔室，该承载装置包括顶升机构、加热组件和用于承载晶片的基座，其中，基座包括用于承载晶片的承载面；顶升机构用于带动晶片上升至高于承载面的加热位置，或带动晶片下降至承载面上；加热组件贯穿基座，设置在承载面上，用于在顶升机构带动晶片上升至加热位置时，向晶片输出光能以加热晶片。本发明提供的承载装置及工艺腔室能够缩短工艺时间，提高工艺效率，提高工艺产能，降低生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 承载 装置 工艺 | ||
【主权项】：
1.一种承载装置，包括用于承载晶片的基座，其特征在于，还包括顶升机构和加热组件，其中，所述基座包括用于承载所述晶片的承载面；所述顶升机构用于带动所述晶片上升至高于所述承载面的加热位置，或带动所述晶片下降至所述承载面上；所述加热组件贯穿所述基座，设置在所述承载面上，用于在所述顶升机构带动所述晶片上升至所述加热位置时，向所述晶片输出光能以加热所述晶片。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
