[发明专利]一种激光诱导硅氧化物歧化的方法和应用在审
| 申请号： | 201910532336.5 | 申请日： | 2019-06-19 |
| 公开（公告）号： | CN110143594A | 公开（公告）日： | 2019-08-20 |
| 发明（设计）人： | 龙祖鑫;傅儒生;范崇昭;吴永康;刘兆平 | 申请（专利权）人： | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 |
| 主分类号： | C01B33/021 | 分类号： | C01B33/021;H01M4/38;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 纪志超 |
| 地址： | 315201 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种激光诱导硅氧化物歧化的方法和应用；所述激光诱导硅氧化物歧化的方法包括以下步骤：a)将硅氧化物置于激光光束正下方，进行连续激光辐照，得到纳米晶体硅；所述激光的功率密度为5kW/mm2～20kW/mm2。与现有技术相比，本发明提供的方法采用特定功率密度的激光处理硅氧化物，能够诱导硅氧化物歧化，得到纳米晶体硅；本发明提供的方法快速、高效、便捷，同时歧化效果好且可控性强，得到的纳米晶体硅颗粒均匀性好，应用于锂离子电池负极材料能够提高电池首次库伦效率。实验结果表明，本发明提供的激光诱导硅氧化物歧化的方法处理后的硅氧化物负极片表现出更高的可逆容量和效率，首次库伦效率提高了近10％。 | ||
| 搜索关键词： | 硅氧化物 歧化 激光诱导 纳米晶体硅 首次库伦效率 锂离子电池负极材料 连续激光辐照 应用 颗粒均匀性 激光处理 激光光束 可逆容量 负极片 可控性 诱导 激光 电池 表现 | ||
【主权项】：
1.一种激光诱导硅氧化物歧化的方法，包括以下步骤：a)将硅氧化物置于激光光束正下方，进行连续激光辐照，得到纳米晶体硅；所述激光的功率密度为5kW/mm2～20kW/mm2。
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