[发明专利]半导体结构及其制作方法有效
| 申请号： | 201910532707.X | 申请日： | 2019-06-19 |
| 公开（公告）号： | CN110262190B | 公开（公告）日： | 2023-09-01 |
| 发明（设计）人： | 叶国梁;周玉;易洪昇 | 申请（专利权）人： | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/16 | 分类号： | G03F7/16 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅 |
| 地址： | 430205 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体结构及其制作方法，所述半导体结构包括：衬底，所述衬底上形成有凹槽，所述凹槽至少一侧的衬底上形成有挡墙；以及，半导体图形，位于所述衬底上，且在所述半导体图形与所述凹槽之间设置有所述挡墙，在涂布光阻时，把光阻剂滴在衬底上，通过旋转使光阻剂覆盖在整个衬底上，挡墙能够阻止沟槽内的光阻向外溢出，以此改善芯片有效区域内光阻的均一性，提高后续刻蚀的均一性，最终提高半导体器件的性能；同时还可以节约表面沉积和表面平坦化成本，从而降低生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：衬底，所述衬底上形成有凹槽，所述凹槽至少一侧的衬底上形成有挡墙；以及，半导体图形，位于所述衬底上，且在所述半导体图形与所述凹槽之间设置有所述挡墙。
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