[发明专利]一种基于高阶横模波导输出的混合集成激光器芯片结构有效
| 申请号： | 201910534116.6 | 申请日： | 2019-06-19 |
| 公开（公告）号： | CN110176718B | 公开（公告）日： | 2021-02-02 |
| 发明（设计）人： | 郑婉华;陈忠浩;渠红伟;贾宇飞;林海鹏 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01S5/32 | 分类号： | H01S5/32;H01S5/323;H01S5/34;H01S5/20 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于高阶横模波导输出的混合集成激光器芯片结构，包括激光器和SOI波导，所述激光器包括：P型波导层，用于限制基膜激射、产生高阶横模激射以及使光场向P型区扩展；有源区，设置于P型波导层之上，用于增益发光；N型限制层，设置于有源区之上，用于限制光场向N型区的扩展；N型衬底层及N面电极，设置于N型限制层之上，用于生长外延材料及载流子的注入；所述SOI波导，设置于所述激光器之下，与激光器通过键合技术或BCB胶合成一整体，形成复合激光腔。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 高阶横模 波导 输出 混合 集成 激光器 芯片 结构 | ||
【主权项】：
1.一种基于高阶横模波导输出的混合集成激光器芯片结构，包括：激光器(A1)，包括：P型波导层(A6)，用于限制基膜激射、产生高阶横模激射以及使光场向P型区扩展；有源区(A5)，设置于P型波导层(A6)之上，用于增益发光；N型限制层(A4)，设置于有源区(A5)之上，用于限制光场向N型区的扩展；N型衬底层及N面电极(A3)，设置于N型限制层(A4)之上，用于生长外延材料及载流子的注入；SOI波导(A2)，设置于所述激光器(A1)之下，与所述激光器(A1)形成复合激光腔。
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