[发明专利]一种卷对卷无掩膜激光直写光刻设备的分段曝光方法

摘要

本发明涉及一种卷对卷无掩膜激光直写光刻设备的分段曝光方法，该方法包括以下步骤：（1）超高图形切割；（2）料号制作及标识；（3）曝光第1段料号；（4）获取理论吸盘坐标；（5）曝光第n段料号；（6）重复步骤（4）和（5），直至曝光完该图形的所有分段料号。本发明能够解决现有技术中存在的不足，对曝光图形高度超过扫描轴行程的图形进行曝光。

主权项

1.一种卷对卷无掩膜激光直写光刻设备的分段曝光方法，其特征在于：该方法包括以下步骤：（1）超高图形切割：将要曝光的超高图形切割成m+1段；m为正整数；（2）料号制作及标识：将每一段图形制作成卷对卷无掩膜激光直写光刻设备可以正常曝光的标准料号，并在料号中标识每一个标准料号分别处于分段曝光料号的哪一段；（3）曝光第n‑1段料号：设n为料号的段数，1＜n≤m，n的初始值为2,根据卷对卷无掩膜激光直写光刻设备用基板和第n‑1段图形的尺寸，计算第n‑1段图形的左上顶点和右上顶点对应的吸盘坐标，并采用静态投图的方式在第n‑1段图形的左上角和右上角处分别曝光一个定位mark，将第n‑1段图形的左上顶点对应的吸盘坐标作为第n‑1段图形曝光的起始点位置，对第n‑1段图形进行扫描曝光；（4）获取理论吸盘坐标：卷对卷无掩膜激光直写光刻设备自动收放板，设将要曝光的超高图形的前m段中每段图形的高度均为h，收板移动h距离，步骤（3）中曝光的两个定位mark向下移动，根据第n‑1（1＜n≤m）段图形的宽度和收板的移动距离，计算步骤（3）中曝光的两个定位mark的理论吸盘坐标；（5）曝光第n（1＜n≤m）段料号：首先，采用卷对卷无掩膜激光直写光刻设备的对位相机移动到步骤（3）中n‑1段料号曝光的两个定位mark的理论吸盘坐标位置处，对准获取两个定位mark的吸盘坐标的精确值，使用两点对位计算对准结果；根据卷对卷无掩膜激光直写光刻设备用基板和第n段图形的尺寸，计算第n段图形的左上顶点和右上顶点对应的吸盘坐标，并采用静态投图的方式在第n段图形的左上角和右上角处分别曝光一个定位mark，将第n段图形的左上顶点对应的吸盘坐标作为第n段图形曝光的起始点位置，对第n段图形进行扫描曝光，并拼接当前曝光图形与上次曝光图形；（6）令n=n+1，重复步骤（4）和（5），直至曝光完该图形的前m段料号。