[发明专利]一种基于反应离子刻蚀减薄的光学元件面形修正方法

摘要

本发明公开了一种基于反应离子刻蚀减薄的光学元件面形修正方法，解决了传统光学加工技术无法直接抛光新型柔性光学薄膜的问题。本发明提供的基于反应离子刻蚀减薄的光学元件面形修正方法，可以在不影响薄膜光学性能的情况下，快速高效地对柔性薄膜进行面形修正。本发明可以精确控制减薄区域与非减薄区域的界线，对准精度高，迭代次数少，减薄深度控制精度高，减薄掩蔽层制作方便，不会在光学件表面产生表面划痕或亚表面损伤，残余掩蔽层去除容易，工艺重复性好，无毒无害，也适用于传统无机刚性材料如二氧化硅、碳化硅等。

主权项

1.一种基于反应离子刻蚀减薄的光学元件面形修正方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1：将待修基底(1)固定到刚性镜框(2)上；步骤2：在待修基底(1)上做出定位标记(3)，使用干涉仪测量待修基底(1)的面形数据；步骤3：改变定位标记(3)的位置，直至定位标记(3)完全位于不减薄区域(4)或减薄区域(5)内；步骤4：在面形测量数据分析软件中读出面形数据的x、y、z值，选定一个z值，令此z值的连线为减薄区域(5)和不减薄区域(4)的分界线；步骤5：在待修基底(1)表面制作掩蔽层(6)，并基于步骤4中减薄区域(5)和不减薄区域(4)的分布对待修基底(1)表面进行区域划分，划分时与待修基底(1)上的定位标记(3)进行对准，划分后减薄区域(5)没有掩蔽层覆盖，不减薄区域(4)上有掩蔽层覆盖；步骤6：移除步骤3中做出的定位标记(3)；步骤7：将制备好掩蔽层(6)的待修基底(1)放入反应离子刻蚀设备，选择合理的刻蚀气体及刻蚀参数，对减薄区域(5)进行减薄；步骤8：去除待修基底(1)表面的掩蔽层(6)，测量待修基底(1)的面形数据；步骤9：重复步骤2至步骤8，直至待修基底(1)的面形符合使用要求。