[发明专利]高电子迁移率晶体管及其制备方法有效
| 申请号： | 201910536346.6 | 申请日： | 2019-06-20 |
| 公开（公告）号： | CN110444598B | 公开（公告）日： | 2023-06-09 |
| 发明（设计）人： | 洪威威;王倩;周飚;胡加辉 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（浙江）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/10;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 322000 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高电子迁移率晶体管及其制备方法，属于半导体技术领域。高电子迁移率晶体管包括Si衬底、多个AlN晶种、AlN缓冲层、GaN沟道层、AlGaN势垒层、源极、漏极和栅极；多个AlN晶种均匀分布在Si衬底的第一表面上，AlN缓冲层设置在多个AlN晶种上并填满各个AlN晶种之间的空间，各个AlN晶种上的AlN缓冲层的晶体取向相同；GaN沟道层和AlGaN势垒层依次层叠在AlN缓冲层的第二表面上，第二表面为平面；源极、漏极和栅极分别设置在AlGaN势垒层上，源极和漏极均与AlGaN势垒层形成欧姆接触，栅极与AlGaN势垒层形成肖特基接触。本发明可以提高GaN沟道层的晶体质量。 | ||
| 搜索关键词： | 电子 迁移率 晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种高电子迁移率晶体管，其特征在于，所述高电子迁移率晶体管包括Si衬底(10)、多个AlN晶种(21)、AlN缓冲层(22)、GaN沟道层(31)、AlGaN势垒层(32)、源极(41)、漏极(42)和栅极(43)；所述多个AlN晶种(21)均匀分布在所述Si衬底(10)的第一表面(100)上，所述AlN缓冲层(22)设置在所述多个AlN晶种(21)上并填满各个所述AlN晶种(21)之间的空间，各个所述AlN晶种(21)上的AlN缓冲层(22)的晶体取向相同；所述GaN沟道层(31)和所述AlGaN势垒层(32)依次层叠在所述AlN缓冲层(22)的第二表面(200)上，所述第二表面(200)为平面；所述源极(41)、所述漏极(42)和所述栅极(43)分别设置在所述AlGaN势垒层(32)上，所述源极(41)和所述漏极(42)均与所述AlGaN势垒层(32)形成欧姆接触，所述栅极(43)与所述AlGaN势垒层(32)形成肖特基接触。
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