[发明专利]发光二极管外延片及其制造方法、制造芯片的方法在审
| 申请号： | 201910536353.6 | 申请日： | 2019-06-20 |
| 公开（公告）号： | CN110459659A | 公开（公告）日： | 2019-11-15 |
| 发明（设计）人： | 胡红坡;张奕;董彬忠;李鹏;王江波 | 申请（专利权）人： | 华灿光电(浙江)有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/32 | 分类号： | H01L33/32;H01L33/44;H01L33/00 |
| 代理公司： | 11138 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 徐立<国际申请>=<国际公布>=<进入国 |
| 地址： | 322000浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种发光二极管外延片及其制造方法、制造芯片的方法，属于半导体技术领域。所述发光二极管外延片包括依次层叠的衬底、第一缓冲层、第二缓冲层、N型半导体层、有源层和P型半导体层；所述第一缓冲层为Al单质和AlN化合物的混合物，所述Al单质混在所述AlN化合物中，使所述第一缓冲层呈现灰色或者黑色；所述第二缓冲层为AlN化合物的纯净物，使所述第二缓冲层呈现白色。本发明通过在衬底和原本呈现白色的AlN纯净物之间增设Al单质和AlN化合物的混合物，Al单质混在AlN化合物中，整体呈现灰色或者黑色，有利于吸收激光，实现衬底与外延片的分离，进而制造出垂直结构的芯片。 | ||
| 搜索关键词： | 缓冲层 单质 衬底 发光二极管外延 混合物 纯净物 芯片 制造 半导体技术领域 垂直结构 依次层叠 整体呈现 外延片 源层 激光 增设 吸收 | ||
【主权项】：
1.一种发光二极管外延片，其特征在于，所述发光二极管外延片包括依次层叠的衬底(10)、第一缓冲层(20)、第二缓冲层(30)、N型半导体层(40)、有源层(50)和P型半导体层(60)；所述第一缓冲层(20)为Al单质(21)和AlN化合物(22)的混合物，所述Al单质(21)混在所述AlN化合物(22)中，使所述第一缓冲层(20)呈现灰色或者黑色；所述第二缓冲层(30)为AlN化合物的纯净物，使所述第二缓冲层(30)呈现白色。/n
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