[发明专利]一种LDMOS器件的制造方法

摘要

本发明提供一种LDMOS器件的制造方法，在P型衬底中形成N型埋层和P型外延层；在硅表面形成场氧区，之后形成N阱和P阱，场氧区位于N阱中表面区域；在N阱和P阱间的硅表面上形成栅极，栅极与P阱纵向部分交叠，栅极与N阱纵向间留有间隙；在间隙形成位于P型衬底表面处的N型LDD区域；在P阱和N阱的表面区域形成N型重掺杂区，并在P阱表面区域形成P型重掺杂区；在栅极和场氧区上形成接触孔，将接触孔连接于金属线。本发明不需要额外增加掩膜，利用现有工艺流程，击穿电压BV能达到20V以上；场氧区STI与多晶硅poly间留一定距离，使NLDD能自对准注入；漂移区由NW和NLDD构成；STI上打接触孔起到场板效果，简化了工艺流程，提高了产能。

主权项

1.一种LDMOS器件的制造方法，其特征在于，该方法至少包括以下步骤：步骤一、在P型衬底中自下而上依次形成N型埋层和P型外延层；步骤二、在P型衬底的硅表面形成场氧区；步骤三、所述P型衬底上分别形成N阱和P阱，所述场氧区位于所述N阱中的表面区域；步骤四、在所述N阱和P阱之间的所述硅表面上形成栅极，所述栅极与所述P阱纵向部分交叠，所述栅极与所述N阱纵向之间留有间隙；步骤五、在所述栅极与所述N阱之间的间隙形成位于所述P型衬底表面处的N型LDD区域；步骤六、在所述P阱和N阱的表面区域形成N型重掺杂区，并且在所述P阱表面区域形成P型重掺杂区；步骤七、在所述栅极和所述场氧区上形成接触孔，将所述接触孔连接于金属线。