[发明专利]氧化镓场效应晶体管及其制备方法有效
| 申请号： | 201910537173.X | 申请日： | 2019-06-20 |
| 公开（公告）号： | CN110164769B | 公开（公告）日： | 2021-08-31 |
| 发明（设计）人： | 吕元杰;王元刚;周幸叶;付兴昌;宋旭波;田秀伟;梁士雄;冯志红 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十三研究所 |
| 主分类号： | H01L21/34 | 分类号： | H01L21/34;H01L21/477;H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 石家庄国为知识产权事务所 13120 | 代理人： | 陆林生 |
| 地址： | 050051 *** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体领域，特别涉及一种氧化镓场效应晶体管及其制备方法。该方法包括：在衬底上外延n型氧化镓沟道层；在所述n型氧化镓沟道层上分别形成源极和漏极；在所述源极、漏极和n型氧化镓沟道层上生长介质层；将所述介质层中与栅区对应的部分去除，并进行包含至少两种温度的高温退火处理；在n型氧化镓沟道层与栅区对应的区域上制备栅极。上述方法可以改善器件的击穿特性，并保持器件的导通特性不变。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化 场效应 晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种氧化镓场效应晶体管的制作方法，其特征在于，包括：在衬底上外延n型氧化镓沟道层；在所述n型氧化镓沟道层上分别形成源极和漏极；在所述源极、漏极和n型氧化镓沟道层上生长介质层；将所述介质层中与栅区对应的部分去除，并进行包含至少两种温度的高温退火处理；在n型氧化镓沟道层与栅区对应的区域上制备栅极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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