[发明专利]含氧单晶薄膜的制备方法在审
| 申请号： | 201910537310.X | 申请日： | 2019-06-20 |
| 公开（公告）号： | CN110223912A | 公开（公告）日： | 2019-09-10 |
| 发明（设计）人： | 黄凯;欧欣;赵晓蒙;李文琴;李忠旭;鄢有泉 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | H01L21/265 | 分类号： | H01L21/265;H01L21/324;C30B1/02 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 史治法 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种含氧单晶薄膜的制备方法，包括如下步骤：提供含氧化合物衬底；对含氧化合物衬底进行氢离子注入，以于含氧化合物衬底内预设深度形成缺陷层，缺陷层内形成有氢‑氧化学键；提供键合衬底，将键合衬底与氢离子注入后的含氧化合物衬底进行键合，以得到异质键合结构；对异质键合结构进行红外照射处理，以使得异质键合结构自缺陷层发生剥离而得到含氧单晶薄膜。本发明的含氧单晶薄膜的制备方法中，采用红外照射对含有氢‑氧化学键的缺陷层进行处理，红外会引起氢‑氧化学键的振动，可以在异质键合结构具有较低温度状态下实现自缺陷层发生剥离，热应力较小，不会发生异质键合结构解键合的情况，更不会存在异质键合结构碎裂的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 键合结构 异质 缺陷层 含氧化合物 单晶薄膜 衬底 含氧 化学键 制备 氢离子 红外照射 键合 剥离 温度状态 碎裂 热应力 预设 | ||
【主权项】：
1.一种含氧单晶薄膜的制备方法，其特征在于，所述含氧单晶薄膜的制备方法包括如下步骤：提供含氧化合物衬底；对所述含氧化合物衬底进行氢离子注入，以于所述含氧化合物衬底内预设深度形成缺陷层，所述缺陷层内形成有氢‑氧化学键；提供键合衬底，将所述键合衬底与氢离子注入后的所述含氧化合物衬底进行键合，以得到异质键合结构；对所述异质键合结构进行红外照射处理，以使得所述异质键合结构自所述缺陷层发生剥离而得到含氧单晶薄膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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