[发明专利]等离子体发射光谱干扰校正方法有效
| 申请号： | 201910537421.0 | 申请日： | 2019-06-20 |
| 公开（公告）号： | CN110208251B | 公开（公告）日： | 2022-01-21 |
| 发明（设计）人： | 潘从元;李朝阳;安宁 | 申请（专利权）人： | 安徽创谱仪器科技有限公司 |
| 主分类号： | G01N21/71 | 分类号： | G01N21/71 |
| 代理公司： | 合肥诚兴知识产权代理有限公司 34109 | 代理人： | 汤茂盛 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明属于光谱检测技术领域，特别涉及一种等离子体发射光谱干扰校正方法，根据校正光谱段20内干扰线B对应元素的其他特征谱线信息计算得到干扰线B的谱线强度，便能分解待分析光谱峰11，从而获得分析线A的谱线强度，完成光谱干扰的校正。本发明存在以下技术效果：基于等离子体发射光谱理论中同类型、同离子态各发射谱线的强度关系，能够准确地分解谱线，实现易受干扰谱线的发射强度的检出和计算，从而提高成分检测结果精度和检测元素范围，使LIBS技术的应用范围得到进一步扩展。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体 发射光谱 干扰 校正 方法 | ||
【主权项】：
1.一种等离子体发射光谱干扰校正方法，包括以下步骤：步骤1：选取含有待测元素的样品进行检测，获得样品的等离子发射光谱；步骤2：结合步骤1获得的等离子发射光谱及标准发射光谱数据库，选取待分析光谱段(10)，待分析光谱段(10)内包含有分析线(A)、干扰线(B)相互干扰形成的待分析线(11)，确定分析线(A)、干扰线(B)对应的元素种类与类型和分析线(A)、干扰线(B)的谱线参数；步骤3：在步骤1获得的等离子发射光谱中，选取包含有干扰线(B)对应元素的其他特征谱线的校正光谱段(20)；步骤4：通过光谱寻峰和拟合得到待分析线(11)的谱线强度Iana和干扰线(B)对应元素位于校正光谱段(20)内的谱线强度IBi；步骤5：依据等离子体发射光谱理论，利用同类型、同离子态各发射谱线的强度关系，根据步骤4获得的干扰线(B)对应元素位于校正光谱段(20)内的特征谱线强度，计算得到干扰线(B)的谱线强度IB。步骤6：结合步骤4获得的待分析线(11)的谱线强度Iana及步骤5获得的干扰线(B)的谱线强度IB，采用多峰拟合求差或直接求差的方式得出分析线(A)的谱线强度IA，完成光谱干扰的校正。
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