[发明专利]一种闪存器件的制造方法

摘要

本申请提供一种闪存器件的制造方法，衬底上形成有浮栅层，浮栅层上形成有图案化的栅堆叠层，栅堆叠层一侧为擦除栅区，另一侧为字线区，在栅堆叠层的侧壁上可以形成沿着侧壁由内至外依次层叠的N个子侧墙，去除字线区的侧墙，以擦除栅区的侧墙为掩蔽，进行浮栅层的刻蚀，以形成浮栅，这样，在每一次阶梯成形工艺中可以去除一个子侧墙，并以剩下的子侧墙为掩蔽，各向异性刻蚀去除部分厚度的浮栅，依次进行M次阶梯成形工艺，去除剩余的子侧墙，以在擦除栅区一侧的浮栅中形成阶梯结构，由于擦除栅区一侧的浮栅为阶梯结构，则擦除栅区一侧的浮栅具有更多的尖角，这样在擦除栅上施加电压，将更容易擦除浮栅中的电子，擦除效率得以提高。

主权项

1.一种闪存器件的制造方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底上形成有浮栅层，所述浮栅层上形成有图案化的栅堆叠层，所述栅堆叠层包括依次层叠的隔离层和控制栅，所述栅堆叠层一侧为擦除栅区、另一侧为字线区；在所述栅堆叠层的侧壁上形成侧墙，所述侧墙包括沿所述侧壁由内至外依次层叠的N个子侧墙，所述N≥2且为自然数；去除所述字线区的侧墙，并以所述擦除栅区的侧墙为掩蔽，进行所述浮栅层的刻蚀，以形成浮栅；依次进行M次阶梯成形工艺，以在所述擦除栅区一侧的浮栅中形成阶梯结构，所述M≤N‑1，其中，第m次阶梯成形工艺包括：去除第N+1‑m个子侧墙，并以剩余的子侧墙为掩蔽，各向异性刻蚀去除部分厚度的浮栅，所述m从1至M；去除剩余的子侧墙。