[发明专利]一种高纯二碘硅烷的制备方法有效
申请号: | 201910537707.9 | 申请日: | 2019-06-20 |
公开(公告)号: | CN110606491B | 公开(公告)日: | 2022-07-29 |
发明(设计)人: | 马建修;王维佳;李广新;靖宇 | 申请(专利权)人: | 天津绿菱气体有限公司 |
主分类号: | C01B33/107 | 分类号: | C01B33/107 |
代理公司: | 太原晋科知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 14110 | 代理人: | 任林芳 |
地址: | 300450 天津市滨海新区经济技*** | 国省代码: | 天津;12 |
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摘要: | 本发明提出一种高纯二碘硅烷的制备方法,涉及无机化合物制备领域。上述高纯二碘硅烷的制备方法包括以下步骤:在惰性气体保护下,以溶剂醚类作为溶剂,将四氢铝锂和苯基二氯硅烷反应,制得苯硅烷混合物;将苯硅烷混合物加热,蒸出苯硅烷,并将苯硅烷收集;控制反应温度为‑80~30℃,搅拌条件下,在粉末状的碘单质中逐滴滴加收集的苯硅烷,同时加入含氧有机化合物作为催化剂,反应后制得二碘硅烷混合物;升高二碘硅烷混合物的温度蒸馏粗二碘硅烷。本发明提出的高纯二碘硅烷的制备方法,初始原料采用无毒性的材料苯基二氯硅烷,该材料与传统的初始原料剧毒化学品苯基三氯硅烷相比,极大的提高了工艺的安全性。 | ||
搜索关键词: | 一种 高纯 硅烷 制备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种高纯二碘硅烷的制备方法,其特征在于,其包括以下步骤:/nS1步骤:将工艺所涉及的容器及管线洗净烘干,并用惰性气体吹扫;在所述惰性气体保护下,以溶剂醚类作为溶剂,在搅拌的条件下控制反应温度为0~25℃,并向所述溶剂醚类中加入四氢铝锂,随后滴加苯基二氯硅烷,至所述苯基二氯硅烷滴加完后,搅拌2~4 h,制得苯硅烷混合物;/nS2步骤:将所述苯硅烷混合物加热,在30~100℃之间,蒸出溶剂醚类,继续升高温度,在120~180℃之间,蒸出苯硅烷,并将所述苯硅烷收集;/nS3步骤:控制反应温度为-80~30℃,搅拌条件下,在粉末状的碘单质中逐滴滴加S2步骤收集的所述苯硅烷,同时加入含氧有机化合物作为催化剂,滴加完毕后,升至室温,反应4~8h,制得二碘硅烷混合物;/nS4步骤:升高二碘硅烷混合物的温度,在60~130℃的温度下收集副产物苯和轻组分杂质,继续升高温度,在140~190℃蒸馏粗二碘硅烷。/n
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