[发明专利]半导体衬底的修复方法在审
| 申请号： | 201910537808.6 | 申请日： | 2019-06-20 |
| 公开（公告）号： | CN110211985A | 公开（公告）日： | 2019-09-06 |
| 发明（设计）人： | 姜怡雯;李志伟;黄仁德 | 申请（专利权）人： | 德淮半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 武振华;张振军 |
| 地址： | 223302 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体衬底的修复方法，包括：提供半导体衬底；使用含有氯元素的氧化性混合气体对所述半导体衬底的表面进行预处理，以使所述半导体衬底的表面被所述氧化性混合气体氧化生成硅氯叁键结构。本发明方案可以有效地钝化界面，修复晶圆表面缺陷，有效降低暗电流。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 半导体 混合气体 氧化性 修复 预处理 钝化界面 晶圆表面 暗电流 键结构 氯元素 有效地 硅氯 | ||
【主权项】：
1.一种半导体衬底的修复方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底；使用含有氯元素的氧化性混合气体对所述半导体衬底的表面进行预处理，以使所述半导体衬底的表面被所述氧化性混合气体氧化生成硅氯叁键结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
