[发明专利]陶瓷新型电容器的制造工艺

摘要

本发明公开了一种陶瓷新型电容器的制造工艺，包括如下步骤：a.陶瓷基片外观检查；b.陶瓷基片清洗；c.陶瓷基片表面金属化，先溅射金属叠层，在金属叠层的基础上再电镀或者蒸镀电极层；d.金属化后的陶瓷基片进行双面光刻；e.双面光刻后的陶瓷基片进行热处理，提高金属上下电极的粘附性；f.将陶瓷基片贴附在膜体上，进行切割；g.电容器测试分选。本发明增加了上下电极间的距离，避免造成上下电极间的短路；在陶瓷基片上采用双面的光刻工艺，使陶瓷新型电容器的上下电极完全相同或者对称，直接提高了电容的电性能及合格率，从而也变相的降低了陶瓷新型电容器的成本。

主权项

1.陶瓷新型电容器的制造工艺，其特征在于，包括如下步骤：a.陶瓷基片(4)外观检查；b.陶瓷基片(4)清洗；c.陶瓷基片(4)表面金属化，先溅射金属叠层，在金属叠层的基础上再电镀或者蒸镀电极层；溅射金属叠层，上下电极由内到外，均依次为粘附层金属、过渡层金属、电极层金属；粘附层金属(3)，为钛钨、镍铬中任意一种合金，厚度200埃‑1000埃；过渡层金属(2)，为镍、铂、铜中任意一种金属，厚度1000埃‑5000埃；电极层金属(1)，为金、锡、铜中任意一种金属或者它们之间任意组合的合金，厚度200埃‑5000埃；在金属叠层的基础上继续增加厚度，采用电镀或者蒸镀的方法，采用金、锡、铜中任意一种金属或它们之间任意组合的合金，厚度200埃‑100微米；d.金属化后的陶瓷基片(4)进行双面光刻；陶瓷基片(4)上表面光刻，匀胶，上表面曝光，显影，形成指定的图形；陶瓷基片(4)下表面光刻，匀胶，下表面曝光，显影，下表面曝光的设备具有上下显微镜，陶瓷基片(4)下表面接近掩膜版，根据掩膜版标记点在电脑屏幕上绘制光刻标记点，通过底部显微镜调整，使陶瓷基片(4)的上表面光刻标记点同绘制的光刻标记点对准，通过间接的方式使上表面光刻图形同曝光的下表面图形完全相同或对称；匀胶采用旋涂匀胶，转速1000rpm‑6000rpm，时间5s‑5min；e.双面光刻后的陶瓷基片(4)进行热处理，提高金属上下电极的粘附性；f.将陶瓷基片(4)贴附在膜体上，进行切割；g.电容器测试分选。