[发明专利]制作集成电路的方法在审
| 申请号： | 201910538203.9 | 申请日： | 2019-06-20 |
| 公开（公告）号： | CN110660685A | 公开（公告）日： | 2020-01-07 |
| 发明（设计）人： | 黄致凡;陈蕙祺;张国钦;陈殿豪;陈燕铭 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/56 | 分类号： | H01L21/56;H01L21/60 |
| 代理公司： | 72003 隆天知识产权代理有限公司 | 代理人： | 黄艳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 此处提供半导体装置、集成电路、与其形成方法。在一实施例中，制作集成电路的方法包括：形成钝化层于第一接点结构上；形成第二接点结构于钝化层上并穿过钝化层，以电性连接至第一接点结构；以及形成多层钝化结构于第二接点结构与钝化层上。形成多层钝化结构的步骤包括沉积第一氮化物层、沉积氧化物层于第一氮化物层上、以及沉积第二氮化物层于氧化物层上。 | ||
| 搜索关键词： | 接点结构 钝化层 氮化物层 钝化结构 多层 沉积 集成电路 半导体装置 沉积氧化物 电性连接 氧化物层 穿过 制作 | ||
【主权项】：
1.一种制作集成电路的方法，包括：/n形成一钝化层于一第一接点结构上，且该钝化层包括一介电层；/n形成一第二接点结构于该钝化层上并穿过该钝化层，且该第二接点结构电性连接至该第一接点结构；以及/n形成一多层钝化结构于该第二接点结构与该钝化层上，其中形成该多层钝化结构的步骤包括沉积一第一氮化物层、沉积一氧化物层于该第一氮化物层上、以及沉积一第二氮化物层于该氧化物层上。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
