[发明专利]一种多频道自旋波传播磁子晶体结构有效
| 申请号： | 201910538308.4 | 申请日： | 2019-06-20 |
| 公开（公告）号： | CN110323329B | 公开（公告）日： | 2023-04-18 |
| 发明（设计）人： | 候华毅;陈相柏 | 申请（专利权）人： | 武汉工程大学 |
| 主分类号： | H10N50/20 | 分类号： | H10N50/20 |
| 代理公司： | 湖北武汉永嘉专利代理有限公司 42102 | 代理人： | 王丹 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种多频道自旋波传播磁子晶体结构，包括本征磁性离子层，以及在本征磁性离子层之间设置的不同种类的磁性掺杂离子层；每层磁性掺杂离子层激发不同频率的自旋波，自旋波的频率由本征磁性离子层和磁性掺杂离子层之间的自旋交换作用决定，传播路径由磁性掺杂离子层的离子排列决定。本发明的每层磁性掺杂离子层都会激发不同频率的自旋波，通过调节本征磁性离子层和磁性掺杂离子层之间的自旋交换作用来调节自旋波的频率，以及通过控制磁性掺杂离子层的离子排列来控制传播路径，从而达到多频道的调控。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 频道 自旋 传播 晶体结构 | ||
【主权项】：
1.一种多频道自旋波传播磁子晶体结构，其特征在于：它包括本征磁性离子层，以及在本征磁性离子层之间设置的不同种类的磁性掺杂离子层；每层磁性掺杂离子层激发不同频率的自旋波，自旋波的频率由本征磁性离子层和磁性掺杂离子层之间的自旋交换作用决定，传播路径由磁性掺杂离子层的离子排列决定。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于武汉工程大学，未经武汉工程大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910538308.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
