[发明专利]一种低介电常数聚酰亚胺薄膜及其制备方法在审
申请号: | 201910538789.9 | 申请日: | 2019-06-20 |
公开(公告)号: | CN110358134A | 公开(公告)日: | 2019-10-22 |
发明(设计)人: | 李璐;柏栋宇;李科;李颖;程江 | 申请(专利权)人: | 重庆文理学院 |
主分类号: | C08J9/26 | 分类号: | C08J9/26;C08J5/18;C08L79/08 |
代理公司: | 上海硕力知识产权代理事务所(普通合伙) 31251 | 代理人: | 郭桂峰 |
地址: | 402160 重庆*** | 国省代码: | 重庆;50 |
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摘要: | 本发明公开了一种低介电常数聚酰亚胺薄膜及其制备方法。所述低介电常数聚酰亚胺薄膜的制备方法为:取一定量的三乙酰丙酮铝均匀分散于合成好的聚酰胺酸溶液中,所得复合树脂溶液铺膜进行热酰亚胺化制得低介电常数聚酰亚胺薄膜。与现有技术相比,本发明以三乙酰丙酮铝作为成孔剂,在聚酰亚胺热酰亚胺化过程中三乙酰丙酮铝即可升华挥发,使得聚酰亚胺基体中留下孔洞,成孔工艺简单易行,安全环保;所制得的低介电常数聚酰亚胺薄膜空气孔分布均匀,并具有较低的介电常数和良好的力学性能,在电子和微电子行业等领域具有较好的应用前景。 | ||
搜索关键词: | 聚酰亚胺薄膜 低介电常数 三乙酰丙酮铝 制备 热酰亚胺化 孔洞 聚酰胺酸溶液 聚酰亚胺基体 微电子行业 安全环保 复合树脂 介电常数 聚酰亚胺 力学性能 成孔剂 空气孔 成孔 挥发 铺膜 合成 升华 应用 | ||
【主权项】:
1.一种低介电常数的聚酰亚胺薄膜,其特征在于:所述低介电常数聚酰亚胺薄膜是以聚酰亚胺为基体,三乙酰丙酮铝为成孔剂,复合制备而成。
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