[发明专利]功率半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201910539437.5 | 申请日： | 2019-06-20 |
| 公开（公告）号： | CN110634947B | 公开（公告）日： | 2023-06-27 |
| 发明（设计）人： | 李珠焕;朴泰泳;禹赫;姜旻岐;金莹俊;金台烨;尹成晥;赵善衡;河定穆 | 申请（专利权）人： | 现代摩比斯株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L21/331;H01L29/423 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 刘彬 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本申请公开了功率半导体器件及其制造方法。一种功率半导体器件，包括：第一沟槽栅极和第二沟槽栅极，呈带状形状，在衬底中在一个方向上平行地延伸并且彼此间隔开；第三沟槽栅极，呈梯状形状，在衬底中在与第一沟槽栅极和第二沟槽栅极之间的一个方向不同的方向上延伸；第一导电类型的体区，分别布置在衬底中在第一沟槽栅极、第二沟槽栅极与第三沟槽栅极之间；一对第一导电类型的浮动第一区，在衬底中围绕第一沟槽栅极和第二沟槽栅极的每个底表面和至少一侧；以及第一导电类型的浮动第二区，在衬底中围绕第三沟槽栅极的底表面。 | ||
| 搜索关键词： | 功率 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种功率半导体器件，包括：/n第一沟槽栅极和第二沟槽栅极，所述第一沟槽栅极和第二沟槽栅极在衬底中在一个方向上呈带状形状平行地延伸并且彼此间隔开；/n第三沟槽栅极，在所述衬底中在与所述第一沟槽栅极和所述第二沟槽栅极之间的所述一个方向不同的方向上呈梯状形状延伸；/n第一导电类型的体区，分别布置在所述衬底中在所述第一沟槽栅极、所述第二沟槽栅极与所述第三沟槽栅极之间；/n一对第一导电类型的浮动第一区，在所述衬底中围绕所述第一沟槽栅极和所述第二沟槽栅极的每个底表面和至少一侧；/n第一导电类型的浮动第二区，在所述衬底中围绕所述第三沟槽栅极的底表面；/n发射极，布置在所述衬底的上表面上并且与所述第一导电类型的体区接触；以及/n集电极，布置在所述衬底的底表面上。/n
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