[发明专利]基于具有陷光结构的三氧化钼空穴传输层的有机太阳能电池及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201910539916.7 申请日: 2019-06-21
公开(公告)号: CN110212096B 公开(公告)日: 2021-05-18
发明(设计)人: 郑巧;马国臣;程树英;赖云锋;俞金玲 申请(专利权)人: 福州大学
主分类号: H01L51/42 分类号: H01L51/42;H01L51/44;H01L51/48
代理公司: 福州元创专利商标代理有限公司 35100 代理人: 修斯文;蔡学俊
地址: 362251 福建省泉*** 国省代码: 福建;35
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摘要: 发明属于电池薄膜材料与器件领域,具体涉及一种以具有陷光结构的MoO3为空穴传输层的有机光伏电池及其制备方法。该电池包括氧化物透明导电衬底、空穴传输层、有机活性层和金属电极,其中,空穴传输层是在氧化物透明导电衬底上蒸镀一层MoO3薄膜,借助聚苯乙烯球作为模板,利用盐酸烟雾刻蚀法对MoO3表面进行刻蚀,形成图案化的表面,最后在图案化的MoO3表面蒸镀上第二层MoO3,最终形成具有陷光结构的MoO3薄膜。本发明制得的有机光伏电池可以显著提高有机活性层的光吸收率,该电池轻便、成本低廉、稳定性较好、对环境友好且易于大面积生产。
搜索关键词: 基于 具有 结构 氧化钼 空穴 传输 有机 太阳能电池 及其 制备 方法
【主权项】:
1.基于具有陷光结构的MoO3空穴传输层的有机光伏电池,包括氧化物透明导电衬底、图案化的MoO3薄膜、有机活性层和金属电极,其特征在于:所述图案化的MoO3薄膜为空穴传输层是将蒸镀在氧化物透明导电衬底上的MoO3,利用模板对其表面进行刻蚀,形成图案化表面,最后在图案化的MoO3表面再镀上第二层MoO3,形成具有陷光结构的MoO3空穴传输层。
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