[发明专利]一种GaAs基多结红光激光器及其制备方法有效
申请号: | 201910542284.X | 申请日: | 2019-06-21 |
公开(公告)号: | CN112117641B | 公开(公告)日: | 2021-10-01 |
发明(设计)人: | 李志虎;张新;朱振;于军 | 申请(专利权)人: | 山东华光光电子股份有限公司 |
主分类号: | H01S5/323 | 分类号: | H01S5/323 |
代理公司: | 北京华际知识产权代理有限公司 11676 | 代理人: | 张文杰 |
地址: | 250101 山东*** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: |
本发明公开了一种GaAs基多结红光激光器及其制备方法,所述激光器包括GaAs衬底,所述GaAs衬底上自下而上依次生长有GaAs低温缓冲层、第一激光节、GaInP腐蚀阻挡层和第一GaAs帽层,所述第一激光节、GaInP腐蚀阻挡层生长有若干个发光层;所述发光层自下而上包括若干个隧道结和第二激光节,所述最接近第一激光节的隧道结在第一激光节上生长,所述第二激光节在隧道结上生长;本发明不仅通过隧道结的设计实现了多节激光材料的生长,在较小的电流下获得较大的输出功率,提高了激光器的发光功率;同时由于AlInP上限制层、第二GaAs帽层之间的界面宽带不连续,本技术方案引入了(Al |
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搜索关键词: | 一种 gaas 基多 红光 激光器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
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