[发明专利]一种镶嵌无配体量子点的铋酸铜薄膜、制备方法及应用在审
| 申请号： | 201910542362.6 | 申请日： | 2019-06-21 |
| 公开（公告）号： | CN110201676A | 公开（公告）日： | 2019-09-06 |
| 发明（设计）人： | 王洪强;徐有勋;简洁;叶谦 | 申请（专利权）人： | 西北工业大学 |
| 主分类号： | B01J23/843 | 分类号： | B01J23/843;B01J23/89;B01J37/34;C25B1/04;C25B11/06 |
| 代理公司： | 西安铭泽知识产权代理事务所(普通合伙) 61223 | 代理人： | 李振瑞 |
| 地址： | 710072 陕西省*** | 国省代码： | 陕西;61 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种镶嵌无配体量子点的铋酸铜薄膜、制备方法及应用，包括以下步骤：将半导体氧化物或金属材料分散在液相媒介中，得到混合液；在超声辅助下，将混合液置于激光束下辐照，得到无配体量子点胶体溶液；将无配体量子点胶体溶液与铋酸铜前驱体溶液混合、制膜、烧结，获得镶嵌无配体量子点的铋酸铜薄膜。本发明通过液相脉冲辐照技术将无配体量子点均匀镶嵌在铋酸铜薄膜中，使铋酸铜薄膜的载流子分离效率显著提高，对该薄膜光电流密度进行测试，结果表明，相对于未镶嵌无配体量子点的铋酸铜薄膜来说，光电流密度从2.0mA/cm2提高到了3.0mA/cm2左右，光电性能得到了明显改善。 | ||
| 搜索关键词： | 酸铜 子点 薄膜 镶嵌 胶体溶液 光电流 混合液 制备 载流子 半导体氧化物 前驱体溶液 金属材料 超声辅助 分离效率 光电性能 均匀镶嵌 脉冲辐照 辐照 烧结 激光束 制膜 应用 媒介 测试 | ||
【主权项】：
1.一种镶嵌无配体量子点的铋酸铜薄膜，其特征在于，包括纳米多孔的铋酸铜薄膜，以及镶嵌在所述铋酸铜薄膜中的无配体量子点，且所述无配体量子点在所述镶嵌无配体量子点的铋酸铜薄膜中的质量分数为0.1‑5.0％；其中，所述无配体量子点由半导体氧化物混合液或金属材料混合液经激光束辐照得到；所述半导体氧化物混合液或金属材料混合液由半导体氧化物或金属材料分散在液相媒介中得到。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西北工业大学，未经西北工业大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910542362.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
