[发明专利]一种离子存储层及其制备方法和包含其的电致变色器件有效
| 申请号： | 201910542505.3 | 申请日： | 2019-06-21 |
| 公开（公告）号： | CN110286539B | 公开（公告）日： | 2021-06-29 |
| 发明（设计）人： | 周宇;何嘉智 | 申请（专利权）人： | 深圳市光羿科技有限公司 |
| 主分类号： | G02F1/153 | 分类号： | G02F1/153 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 巩克栋 |
| 地址： | 518055 广东省深圳市南山区桃*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种离子存储层及其制备方法和包含其的电致变色器件。所述制备方法包括：用含有离子存储层材料的涂布液进行涂布，得到所述离子存储层；其中，所述离子层存储材料为普鲁士蓝、普鲁士蓝衍生物、FeNiHCF、FeHCF或NiHCF中的任意一种或至少两种的组合。本发明提供的电致变色器件包含所述离子存储层。本发明提供的离子存储层制备方法通过选用合适的离子存储层材料，与涂布相配合，获得了性能良好的离子存储层，该方法具有操作方便，易于大批量生产等优点，克服了离子存储层材料加工困难，加工成本较高，加工难度较大的问题。所述离子存储层性能良好，有助于提高含有其的电致变色器件的循环寿命和变色速度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 离子 存储 及其 制备 方法 包含 变色 器件 | ||
【主权项】：
1.一种离子存储层的制备方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：用含有离子存储层材料的涂布液进行涂布，得到所述离子存储层；其中，所述离子层存储材料为普鲁士蓝、普鲁士蓝衍生物、FeNiHCF、FeHCF或NiHCF中的任意一种或至少两种的组合。
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