[发明专利]一种基于抗磁体悬浮的MEMS惯性传感器有效
| 申请号： | 201910542840.3 | 申请日： | 2019-06-21 |
| 公开（公告）号： | CN110231664B | 公开（公告）日： | 2020-09-08 |
| 发明（设计）人： | 王秋;刘骅锋;胡宸源;涂良成 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学 |
| 主分类号： | G01V7/00 | 分类号： | G01V7/00;G01V7/02;G01P15/08;G01P15/03;G01P1/00 |
| 代理公司： | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人： | 曹葆青;李智 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开一种基于抗磁体悬浮的MEMS惯性传感器，包括：深硅刻蚀槽内部具有封闭的空间，通过将SOI硅片中支撑层的中间区域刻蚀掉得到；悬浮永磁体位于深硅刻蚀槽的封闭空间内，固定永磁体固定于上刻蚀槽外侧的顶部，用于提供作用于悬浮永磁体的悬浮力，以克服悬浮永磁体的重力，使得悬浮永磁体悬浮于封闭空间内；抗磁材料对称的固定在深硅刻蚀槽的内部，向悬浮永磁体提供对称的抗磁力，当MEMS惯性传感器受到外界作用力导致悬浮永磁体的位置发生变化时，抗磁力作为类弹性恢复力以约束悬浮永磁体的位置，悬浮永磁体的位移用于确定外界作用力对应的空间惯性加速度。本发明的惯性传感器不受摩擦力的影响。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 磁体 悬浮 mems 惯性 传感器 | ||
【主权项】：
1.一种基于抗磁体悬浮的MEMS惯性传感器，其特征在于，包括：深硅刻蚀槽、抗磁材料、悬浮永磁体以及固定永磁体；所述深硅刻蚀槽内部具有封闭的空间；所述深硅刻蚀槽包括两个对称的刻蚀槽，每个刻蚀槽通过将SOI硅片中支撑层的中间区域刻蚀掉得到；两个刻蚀槽开口方向相对，两个刻蚀槽中间被刻蚀掉的区域对应所述封闭的空间；所述悬浮永磁体位于所述深硅刻蚀槽的封闭空间内，所述固定永磁体固定于上刻蚀槽外侧的顶部，用于提供作用于悬浮永磁体的悬浮力，以克服悬浮永磁体的重力，使得悬浮永磁体悬浮于所述封闭空间内；所述抗磁材料对称的固定在深硅刻蚀槽的内部，向悬浮永磁体提供对称的抗磁力，当所述MEMS惯性传感器收到外界作用力导致悬浮永磁体的位置发生变化时，所述抗磁力作为类弹性恢复力以约束悬浮永磁体的位置，所述悬浮永磁体的位移用于确定所述外界作用力对应的空间惯性加速度。
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