[发明专利]形成半导体结构的方法在审

申请号：	201910543415.6	申请日：	2019-06-21
公开（公告）号：	CN110660671A	公开（公告）日：	2020-01-07
发明（设计）人：	简昭欣;周钰哲;蔡健伟;易琴雅	申请（专利权）人：	台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号：	H01L21/336	分类号：	H01L21/336
代理公司：	11006 北京律诚同业知识产权代理有限公司	代理人：	徐金国
地址：	中国台湾新竹市***	国省代码：	中国台湾;71
权利要求书：	查看更多	说明书：	查看更多
摘要：	提供一种形成半导体结构的方法，特别是提供一种形成自我对齐非对称栅极(SAUG)鳍式场效晶体管(FinFET)的结构与方法。SAUG FinFET结构于每个鳍片的相对侧上具有两个不同的栅极结构，即编程栅极结构与开关栅极结构。SAUG FinFET可用以作为非挥发性记忆体储存元件，可透过在编程栅极结构的控制栅极上以适当的偏压来于电荷捕获介电质(例如氮化硅(Si
搜索关键词：	开关栅极非挥发性记忆体编程栅极储存元件可透过感测电荷捕获介电质鳍式场效晶体管半导体结构控制栅极通道电流栅极结构电荷对齐氮化硅非对称电性可用鳍片编程捕获储存响应
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【主权项】：

1.一种形成半导体结构的方法，其特征在于，包含：/n形成从一基板延伸的一鳍片，其中该鳍片沿着该鳍片的多个相对侧具有多个隔离区；/n于该鳍片中形成一源极区与一漏极区；/n于该鳍片的一第一侧壁上形成一编程栅极结构(programming gate structure)；以及/n于与该编程栅极结构相对的该鳍片的一第二侧壁上形成一开关栅极结构(switchinggate structure)，其中该编程栅极结构与该开关栅极结构是沿着插入于该源极区与该漏极区之间的该鳍片的一部分。/n

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专利分类

H 电学

H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造

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