[发明专利]基于斜入射校正的极紫外光刻掩模衍射谱仿真方法有效
申请号: | 201910543997.8 | 申请日: | 2019-06-21 |
公开(公告)号: | CN110320763B | 公开(公告)日: | 2020-05-05 |
发明(设计)人: | 张子南;李思坤;王向朝;成维 | 申请(专利权)人: | 中国科学院上海光学精密机械研究所 |
主分类号: | G03F7/20 | 分类号: | G03F7/20 |
代理公司: | 上海恒慧知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31317 | 代理人: | 张宁展 |
地址: | 201800 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 一种基于斜入射校正的极紫外光刻掩模衍射谱快速仿真方法,针对光源斜入射的情况,对基于边界点脉冲的吸收层模型进行参数校正,得到了准确的吸收层衍射谱,将无缺陷多层膜近似为单平面,其反射系数幅值和相位通过对严格仿真结果进行插值得到。本方法依次仿真吸收层衍射谱、多层膜反射谱、吸收层衍射谱,得到极紫外光刻掩模衍射谱。本发明可快速准确地仿真任意入射角照明下的极紫外光刻掩模的衍射谱。 | ||
搜索关键词: | 基于 入射 校正 紫外 光刻 衍射 仿真 方法 | ||
【主权项】:
1.一种基于斜入射校正的极紫外光刻掩模衍射谱仿真方法,其特征在于:该方法包括如下步骤:1)仿真掩模吸收层的衍射谱:入射光(6)进入吸收层(1)后,传播至吸收层等效薄层(4)发生衍射,各级次衍射光传播至吸收层下表面得到吸收层衍射谱;发生衍射时,衍射谱分布为:其中,m为衍射级次,L为图形周期(8),w为图形宽度(9),x0为图形偏移量(10);ta为吸收层(1)背景透过率,tb为图形区域(9)透过率,A为修正点脉冲;f(θinc,θm),g(θinc,θm)分别为与等效入射角和衍射角有关的补偿函数,通过提前对特定图形宽度和周期的掩模进行严格仿真得到;最终掩模吸收层(1)的衍射谱为:其中,dabs为吸收层厚度,为入射光(6)从吸收层(1)上表面到达等效薄层(4)的相位量,bm为等效薄层(4)处衍射后的衍射谱,为衍射光从等效薄层(4)传播到吸收层(1)下表面的相位量,θmz为m级次的衍射光与z轴的夹角;2)仿真多层膜反射系数的幅值和相位:将多层膜(2)近似为多层膜等效平面镜(5),对光的作用表示为:其中R(θmz)表示反射系数,θmz为m级次的衍射光与z轴的夹角,r为反射系数的幅值,为反射系数的相位,通过提前对严格仿真方法获得的数据进行插值得到;最终通过多层膜反射后的衍射谱为:Bml(θmz)=Bm(θangle,θmz)×R(θmz)其中,Bm(θangle,θm)表示经过吸收层(1)衍射后的衍射谱,θangle为入射角,θmz为m级次的衍射光与z轴的夹角;3)仿真极紫外光刻掩模衍射谱:经过多层膜(2)反射后的光再次经过吸收层(1)衍射,利用步骤1),得到极紫外光刻掩模的衍射谱:B(θm)=∫Bm(θn,θm)Bml(θn)dθn其中,B(θm)表示最终的掩模衍射谱,θm为掩模各级次衍射光的衍射角;Bml(θn)表示经过多层膜反射后的衍射谱,θn为各级次反射光与z轴的夹角;Bm(θn,θm)为第二次经过吸收层的衍射谱。
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