[发明专利]一种InGaN纳米柱阵列基GSG型可调谐光电探测器及其制备方法

摘要

本发明公开了一种InGaN纳米柱阵列基GSG型可调谐光电探测器及其制备方法。所述光电探测器包括由下至上的衬底、底层石墨烯层、InGaN纳米柱阵列和与纳米柱阵列间形成肖特基接触的顶层石墨烯层，还包括位于纳米柱阵列一侧的第一Au金属层电极，以及位于纳米柱阵列另一侧的阻隔底层和顶层石墨烯层接触的SiO₂绝缘层，且第一Au金属层电极和SiO₂绝缘层均位于底层石墨烯层上方，第二Au金属层电极与SiO₂绝缘层通过顶层石墨烯层隔开。所述光电探测器对近红外、可见光至紫外光具有高的灵敏探测，同时具有超快的响应时间以及超高的光响应度的特点（响应时间<80μs，响应度达到2.0×10⁴A/W）。

主权项

1.一种InGaN纳米柱阵列基GSG型可调谐光电探测器，其特征在于，包括由下至上的衬底（1）、底层石墨烯层（2）、InGaN纳米柱阵列（4）和与纳米柱阵列间形成肖特基接触的顶层石墨烯层（5），还包括位于纳米柱阵列（4）一侧的第一Au金属层电极（6），以及位于纳米柱阵列（4）另一侧的阻隔底层和顶层石墨烯层接触的SiO₂绝缘层（3），且第一Au金属层电极（6）和SiO₂绝缘层（3）均位于底层石墨烯层（2）上方，第二Au金属层电极（7）与SiO₂绝缘层（3）通过顶层石墨烯层（5）隔开。