[发明专利]基于硅纳米线阵列的微富集器芯片及制备方法在审
| 申请号： | 201910545104.3 | 申请日： | 2019-06-21 |
| 公开（公告）号： | CN110203877A | 公开（公告）日： | 2019-09-06 |
| 发明（设计）人： | 冯飞;赵斌 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | B81B7/02 | 分类号： | B81B7/02;B81B7/04;B81C1/00 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 郝传鑫;贾允 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供基于硅纳米线阵列的微富集器芯片及制备方法，制备包括：提供衬底，制备凹槽结构；制备若干个微柱结构，相邻所述微柱结构基于所述开口嵌套设置；制备微流控端口，与所述凹槽结构相连通；及提供一盖板，并将所述盖板制备于所述衬底形成有所述凹槽结构的一侧，且所述盖板至少覆盖所述凹槽结构。本发明通过在凹槽结构形成的腔体内设计嵌套设置的微柱结构阵列，可以获得大的表面积，并使得流场均匀分布，且延长气体流路路径，进而提高吸附材料的均匀性，提高吸附气体的富集率，另外，通过在腔体内表面构筑一层高比面积的硅纳米线阵列，可极大地增加腔体内的内表面积，提高吸附材料的承载量，提高基于硅纳米线阵列的微富集器芯片的富集率。 | ||
| 搜索关键词： | 制备 凹槽结构 硅纳米线阵列 富集器 盖板 微柱 嵌套 吸附材料 芯片 衬底 富集 体内 腔体内表面 结构阵列 气体流路 吸附气体 承载量 均匀性 微流控 流场 开口 构筑 覆盖 | ||
【主权项】：
1.基于硅纳米线阵列的微富集器芯片的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括如下步骤：提供一衬底，并所述衬底中制备凹槽结构；于所述衬底中制备若干个微柱结构，所述微柱结构位于所述凹槽结构中，所述微柱结构包括依次连接的第一延伸部、连接部以及第二延伸部，所述第一延伸部、所述连接部及所述第二延伸部围成一具有开口的空间区域，相邻所述微柱结构基于所述开口嵌套设置；于所述衬底中制备至少两个微流控端口，所述微流控端口与所述凹槽结构相连通；及提供一盖板，并将所述盖板制备于所述衬底形成有所述凹槽结构的一侧，且所述盖板至少覆盖所述凹槽结构。
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