[发明专利]光刻机匹配方法有效
申请号: | 201910547221.3 | 申请日: | 2019-06-24 |
公开(公告)号: | CN110320764B | 公开(公告)日: | 2020-09-15 |
发明(设计)人: | 茅言杰;李思坤;王向朝 | 申请(专利权)人: | 中国科学院上海光学精密机械研究所 |
主分类号: | G03F7/20 | 分类号: | G03F7/20 |
代理公司: | 上海恒慧知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31317 | 代理人: | 张宁展 |
地址: | 201800 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 一种光刻机匹配方法,本方法以空间像关键尺寸作为描述光刻机成像性能的参数,采用微反射镜阵列模型描述光刻机照明光源,通过差分进化算法直接优化微反射镜阵列参数进行光刻机匹配,缩小待匹配光刻机和参考光刻机之间光刻性能的差异,明显减小了微反射镜阵列产生照明光源的过程导致的匹配误差,有效提高了光刻机匹配精度,适用于含微反射镜阵列照明系统的光刻机之间的匹配。 | ||
搜索关键词: | 光刻 匹配 方法 | ||
【主权项】:
1.一种光刻机匹配方法,其特征在于该方法包括如下步骤:步骤1)读取参考光刻机的状态文件,根据参考光刻机状态文件对光刻仿真软件进行设定,计算阈值Tr下的测试掩模空间像的CD值,记为NFeature为匹配目标图形数量;读取待匹配光刻机状态文件,根据待匹配光刻机状态文件设定光刻仿真软件输入参数;设定种群规模N、自适应控制参数c、变异控制参数p,最大迭代次数Gmax,目标函数阈值Fs,光源最大值Smax;步骤2)计算待匹配光刻机的初始光源参数将参考光刻机测量所得光源图形SRef转换为微反射镜阵列产生的理想强度分布公式如下;其中NMirror为微反射镜数量,IMirror为微反射镜的光强系数,为微反射镜的光斑函数;为第iMirror个微反射镜产生的理想强度分布步骤3)对和IMirror进行编码,编码后的D维向量其中和分别为光源参数对应的极坐标下的极径与极角,和与第iMirror个微反射镜X、Y方向倾角参数对应;将D维向量x作为一个初始个体x1,1,其他个体xj,1(j=2,3,…,N)随机生成;步骤4)迭代计算待匹配光刻机的目标光源参数,具体步骤为:①对第1代种群xj,1(j=1,2,…,N)根据微反射镜阵列产生的理想强度分布分别计算对应的光源图形Sj,1,根据光源图形Sj,1采用根据待匹配光刻机状态文件进行了参数设定的光刻仿真软件计算阈值Tr下的空间像的CD值,记为并计算每个个体xj,1对应的目标函数FExt,j,1,公式如下:其中或S为计算F所用的光源图形;②搜索第k(k=1,2,...,Gmax)代个体中目标函数最小的个体xbest,k,其目标函数值记为若或者k>Gmax,执行⑧;③令j=1;④在第k代种群xj,k(j=1,2,…,N)中随机选出xr0,k,xr1,k和xr2,k三个不同的个体,生成变异向量vj,k,其中为目标函数较小的前100p%的个体中随机选取的个体,ωj为缩放因子ωj=randcj(μω,k,0.1),randc(·)为服从柯西分布的随机数,μω为柯西分布位置参数;⑤生成测试向量uj,k=[u1,j,k,u2,j,k,…,ul,j,k,…,uD,j,k]:其中rand(a,b)为区间(a,b]服从均匀分布的随机数,jrand=randintj(1,D)为1到D之间随机生成的整数,CR,j∈(0,1]为交叉概率CR,j=randnj(μCR,k,0.1),μCR为高斯分布位置参数;⑥以向量xj,k和测试向量uj,k中目标函数FExt较小的向量作为下一代参数向量,即如果测试向量uj,k的目标函数小于向量xj,k,则为成功的更新;令j=j+1,返回④,直至j=N,即完成第k代种群的全部个体更新;⑦更新高斯分布位置参数μCR和柯西分布位置参数μω,公式如下:μCR,k+1=(1‑c)μCR,k+c·meanA(ΩCR,k) (6)μω,k+1=(1‑c)μω,k+c·meanL(Ωω,k) (7)其中meanA(·)为算数平均数,meanL(·)为Lehmer平均数,ΩCR,k为第k代种群中成功更新的向量对应的参数CR的集合,Ωω,k为第k代种群成功更新的向量对应的参数ω的集合,μCR的初始值为0.5,μω的初始值为0.5;完成后执行②;⑧终止迭代,将目标函数最小的个体xbest根据照明系统光学设计转换为微反射镜阵列参数输出;步骤5)曝光验证:将⑧得到的微反射镜阵列参数输入待匹配光刻机,并加载测试掩模进行曝光和显影;利用CD检测系统测量待匹配光刻机曝光产生的光刻胶图形CD,并与参考光刻机曝光产生的光刻胶图形CD进行比较,如果两幅光刻胶图形CD之间的差异在工艺说明书允许的范围之内,则光刻机匹配完成,否则重新进行光学临近效应校正或光源掩模优化对掩模进行设计。
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