[发明专利]一种聚合物表面沉积镁的方法有效
| 申请号： | 201910549130.3 | 申请日： | 2019-06-24 |
| 公开（公告）号： | CN110158040B | 公开（公告）日： | 2020-09-01 |
| 发明（设计）人： | 廖斌;欧阳晓平;罗军 | 申请（专利权）人： | 北京师范大学 |
| 主分类号： | C23C14/32 | 分类号： | C23C14/32;C23C14/20;C23C14/12;C23C14/02 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100875 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种聚合物表面沉积镁的方法，包括：对聚合物进行表面清洗；随后利用蒸发法和圆柱弧靶在聚合物表面共沉积金属多聚物和镁；最后利用圆柱弧靶进行镁沉积。本发明实施例提供的方法，通过气体离子源清洗、蒸发法以及圆柱弧沉积相结合的方法制备的金属镁膜层，明显提高了基体和金属镁层的结合强度。因其方法简单、处理面积大、易操作，且成本低、效率高，非常适合工业化大批量生产。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 聚合物 表面 沉积 方法 | ||
【主权项】：
1.一种聚合物表面沉积镁的方法，其特征在于，包括以下步骤：S110，对聚合物进行表面高低压交替溅射清洗；离子源为阳极层离子源，功率为0‑3KW，束流为0‑2A；第一阶段0‑600V，束流2‑5A，处理30min，紧接着1200‑1800V，束流0‑1A，处理40min；S120，随后，耦合蒸发法和圆柱弧技术在表面混合沉积金属镁和聚合物膜；圆柱靶镁起弧电流0‑90A，起弧真空度在1×10‑3‑3×10‑3Pa，聚合物与镁为共沉积，聚合物蒸发沉积速率与镁沉积速率比不小于2；S130，随后，基于圆柱弧靶聚合物表面沉积金属镁膜，起弧电流0‑90A，起弧真空度在1×10‑3‑3×10‑3Pa，镁层的厚度在0‑1μm；S140，随后，基于蒸发法在表面沉积超薄聚合物保护膜层，厚度为50‑100nm。
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