[发明专利]一种围栅器件及其制造方法

摘要

本发明提供一种围栅器件及其制造方法，在半导体衬底上形成第一外延层与第二外延层交替层叠的堆叠层时，其最底层的第一外延层具有第一掺杂，利用该第一外延层可以使得形成的鳍的衬底的上部中也具有第一掺杂，而鳍中的第一外延层将会被去除，形成包围第二外延层的栅极，鳍中衬底会存在寄生沟道，而该寄生沟道中具有与器件源漏掺杂的类型相反掺杂，从而，抑制寄生沟道的形成，提高器件的性能。

主权项

1.一种围栅器件的制造方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成的第一外延层与第二外延层交替层叠的堆叠层，所述堆叠层中最底层的第一外延层具有第一掺杂，所述第二外延层为沟道材料；在所述堆叠层以及部分厚度的衬底中形成鳍，且所述鳍中衬底的上部具有扩散掺杂区，所述扩散掺杂区利用所述第一掺杂进行扩散而获得，所述鳍的中部为沟道区；将所述沟道区中的第一外延层去除，并形成包围所述沟道区中第二外延层的栅极。