[发明专利]一种窄带热辐射器及其制作方法在审
| 申请号： | 201910549662.7 | 申请日： | 2019-06-24 |
| 公开（公告）号： | CN110274688A | 公开（公告）日： | 2019-09-24 |
| 发明（设计）人： | 谭永胜;李秀东 | 申请（专利权）人： | 绍兴文理学院 |
| 主分类号： | G01J3/12 | 分类号： | G01J3/12;G01J3/02 |
| 代理公司： | 绍兴市寅越专利代理事务所(普通合伙) 33285 | 代理人： | 焦亚如 |
| 地址： | 312000 *** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种窄带热辐射器及其制作方法，其中窄带热辐射器包括硅基体，硅基体的表面通过刻蚀形成周期性排布的图形阵列，图形的底面以及侧面沉积有二硅化钛薄膜，二氧化硅薄膜覆盖二硅化钛薄膜以及裸露的硅基体表面。本发明所设计的窄带热辐射器采用硅基工艺制作而成，兼容性强，适合量产；采用二硅化钛薄膜可以获得极窄的红外光谱，二硅化钛薄膜与硅具有良好的接触特性，可以增强高温稳定性；又通过覆盖二氧化硅薄膜作为保护层进一步提高了器件的工作温度，令整个窄带热辐射器的热稳定性更加理想。 | ||
| 搜索关键词： | 热辐射器 窄带 二硅化钛 薄膜 硅基体 二氧化硅薄膜 制作 高温稳定性 周期性排布 硅基工艺 红外光谱 接触特性 热稳定性 图形阵列 保护层 兼容性 底面 覆盖 刻蚀 量产 沉积 裸露 侧面 | ||
【主权项】：
1.一种窄带热辐射器，其特征在于：包括硅基体，所述硅基体的表面刻蚀形成周期性排布的图形阵列，图形的底面以及侧面沉积有二硅化钛薄膜，二氧化硅薄膜覆盖二硅化钛薄膜以及裸露的硅基体表面。
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