[发明专利]一种高纯碳化硅、碳化硅晶圆及其制备方法有效
| 申请号： | 201910550217.2 | 申请日： | 2019-06-24 |
| 公开（公告）号： | CN110104651B | 公开（公告）日： | 2022-12-06 |
| 发明（设计）人： | 刘剑洪;陈超;陈文沛;林文忠;杨明;刘彬;杨鹏刚;扶勇欢;孙学良;欧阳小平;吴奇 | 申请（专利权）人： | 深圳市本征方程石墨烯技术股份有限公司 |
| 主分类号： | C01B32/97 | 分类号： | C01B32/97;B82Y40/00;C30B29/36;C30B23/00;C30B25/00 |
| 代理公司： | 深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙) 44268 | 代理人： | 王永文;温宏梅 |
| 地址： | 518000 广东省深圳*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高纯碳化硅、碳化硅晶圆及其制备方法，其中，所述高纯碳化硅的制备方法包括步骤：将天然硅石粉碎后进行第一次酸洗，得到硅石粉；将石墨烯粉碎后与硅石粉混匀，然后在保护气体气氛或提纯气体气氛下进行第一次烧结，然后将第一次烧结产物进行第二次酸洗，再在氧化气体气氛下进行第二次烧结，得到中间产物A；将中间产物A与硅石粉混匀，然后在保护气体气氛或提纯气氛下进行第三次烧结，然后将第三次烧结产物进行第三次酸性，得到中间产物B；将中间产物B与粉碎后的石墨烯混匀，然后在保护气体气氛或提纯气氛下进行第四次烧结，即得到高纯碳化硅。本发明解决了现有技术中高纯碳化硅制备工艺复杂、成本过高的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高纯 碳化硅 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种高纯碳化硅的制备方法，其特征在于，包括步骤：将天然硅石粉碎后进行第一次酸洗，得到硅石粉；将石墨烯粉碎后与硅石粉混匀，然后在保护气体气氛或提纯气体气氛下进行第一次烧结，然后将第一次烧结产物进行第二次酸洗，再在氧化气体气氛下进行第二次烧结，得到中间产物A；将中间产物A与硅石粉混匀，然后在保护气体气氛或提纯气氛下进行第三次烧结，然后将第三次烧结产物进行第三次酸性，得到中间产物B；将中间产物B与粉碎后的石墨烯混匀，然后在保护气体气氛或提纯气氛下进行第四次烧结，即得到高纯碳化硅。
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