[发明专利]等离子体蚀刻方法在审
| 申请号： | 201910550373.9 | 申请日： | 2019-06-24 |
| 公开（公告）号： | CN110634738A | 公开（公告）日： | 2019-12-31 |
| 发明（设计）人： | 海尤玛·阿什拉夫;凯文·里德尔;亚历克斯·伍德 | 申请（专利权）人： | SPTS科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065;H01L21/308;H01L21/02 |
| 代理公司： | 11270 北京派特恩知识产权代理有限公司 | 代理人： | 张辛睿;姚开丽 |
| 地址： | 英国*** | 国省代码： | 英国;GB |
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| 摘要： | 本发明提供了一种等离子体蚀刻方法，该方法用于蚀刻硅基化合物半导体衬底，该方法包括在蚀刻室内提供衬底并在衬底上执行循环过程，每个循环包括将蚀刻剂气体供应到蚀刻室中，将气体激发成等离子体，并使用等离子体在衬底上执行蚀刻步骤；并且执行解吸步骤，其中，在解吸步骤期间，供应到蚀刻室中的唯一气体是惰性气体，从而允许在蚀刻步骤期间吸附到衬底表面的反应物质从衬底表面解吸。 | ||
| 搜索关键词： | 蚀刻 衬底 解吸 等离子体 衬底表面 蚀刻室 等离子体蚀刻 硅基化合物 蚀刻剂气体 惰性气体 反应物质 气体激发 循环过程 吸附 半导体 室内 | ||
【主权项】：
1.一种等离子体蚀刻硅基化合物半导体衬底的方法，所述方法包括：/n(a)在蚀刻室内提供衬底；/n(b)在所述衬底上执行循环过程，所述循环过程的每个循环包括：/ni.将蚀刻剂气体供应到所述蚀刻室中，将所述蚀刻剂气体激发成等离子体并使用所述等离子体在所述衬底上执行蚀刻步骤；以及/nii.执行解吸步骤，其中，在所述解吸步骤期间，供应到所述蚀刻室中的唯一气体是惰性气体，从而允许在所述蚀刻步骤期间吸附到所述衬底的表面的反应物质从所述衬底的表面解吸。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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