[发明专利]一种能直接发射白光的半导体异质结发光芯片有效
| 申请号： | 201910550394.0 | 申请日： | 2019-06-24 |
| 公开（公告）号： | CN110416376B | 公开（公告）日： | 2022-02-01 |
| 发明（设计）人： | 刘昌;苏曦;吴昊 | 申请（专利权）人： | 武汉大学 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14;H01L33/00 |
| 代理公司： | 武汉科皓知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 42222 | 代理人： | 杨宏伟 |
| 地址： | 430072 湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种能直接发射白光的半导体异质结发光芯片，采用n型ZnO作为n型层，p型GaN材料作为p型层，在两者之间选择了合适的材料作为穿通阻挡层对异质结能带进行调控，使异质结能够同时发出同等强度的黄、绿光和蓝光，同时通过调控n型ZnO材料中的对应带边发光的紫光、氧空位的蓝绿光还有对应锌氧间隙位的橙光的强度，组合实现单一半导体异质结芯片直接发射白光，器件的显色指数高达91，色温5000‑10000K连续可调。这种器件结构简单，制造工艺也相对简单，且不需要荧光粉材料，同时创造性地引入可调控的穿通阻挡层后，在宽禁带半导体异质结上以非缺陷方式实现了直接白光发射，属于首创发明，具有较大应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 直接 发射 白光 半导体 结发 芯片 | ||
【主权项】：
1.一种能直接发射白光的半导体异质结发光芯片，依次包括n电极、n型层、p型层和p电极，其特征在于：所述n型层和p型层之间设有对异质结能带进行调控的穿通阻挡层，各层采用材料如下：(1)使用p型氮化镓材料作为半导体异质结芯片的p型层；(2)使用氧化锆或氧化镓作为器件的穿通阻挡层；(3)使用n型氧化锌材料作为半导体异质结芯片的n型层。
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