[发明专利]基于声体波激励的电控磁子阀结构

摘要

本发明属于存储器领域，公开了一种基于声体波激励的电控磁子阀结构，包括自上而下位于衬底(1)上的薄膜声体波谐振器子结构、磁子阀子结构及铁电交换偏置异质结子结构；薄膜声体波谐振器子结构用于向磁子阀子结构提供声体波激励；利用薄膜声体波谐振器子结构调控所产生的声体波的谐振频率与振幅，实现铁磁共振以激发磁子阀子结构中磁子流的大小，从而实现该磁子阀子结构的导通与截止，实现对该磁子阀子结构其磁子阀效应的激励。本发明通过对磁子阀关键的激励方式，对应配合设置的其他子结构等进行改进，使得该结构能够通过FBAR调整谐振频率与振幅实现铁磁共振以激发磁子阀中磁子流大小，实现器件的开断，达到存储的功能。

主权项

1.一种基于声体波激励的电控磁子阀结构，其特征在于，包括自上而下位于衬底(1)上的薄膜声体波谐振器子结构、磁子阀子结构及铁电交换偏置异质结子结构，其中，所述薄膜声体波谐振器子结构用于向所述磁子阀子结构提供声体波激励，该薄膜声体波谐振器子结构包括压电薄膜(7)、以及位于所述压电薄膜(7)两端并用于向所述压电薄膜(7)施加电压的电极层(8)，该薄膜声体波谐振器子结构能够在施加电压的作用下产生声体波，并能够通过施加电压的不同调控所述声体波的谐振频率与振幅；所述磁子阀子结构具体为磁性绝缘体/非磁金属/磁性绝缘体的磁子阀子结构，包括自下而上分布的第一磁性绝缘层(4)、非磁金属层(5)及第二磁性绝缘层(6)；利用所述薄膜声体波谐振器子结构调控所产生的声体波的谐振频率与振幅，实现铁磁共振以激发所述磁子阀子结构中磁子流的大小，从而实现该磁子阀子结构的导通与截止，实现对该磁子阀子结构不同磁子流大小的激励；所述铁电交换偏置异质结子结构与所述磁子阀子结构共用所述第二磁性绝缘层(6)，所述铁电交换偏置异质结子结构还包括多铁层(3)和位于所述多铁层(3)下方的底电极(2)，所述多铁层(3)与所述第二磁性绝缘层(6)构成异质结，该铁电交换偏置异质结子结构通过异质结的交换偏置效应达到电场调控所述第二磁性绝缘层(6)磁矩的作用，进行配合调控所述第一磁性绝缘层(4)与该第二磁性绝缘层(6)两者磁矩的相对取向实现磁子阀的导通与截止。