[发明专利]一种含氮半导体纳米材料的制备方法

摘要

本发明属于纳米材料领域，尤其是一种含氮半导体纳米材料的制备方法，针对现有含氮半导体纳米材料的制备方式较为单一，选择性较差的问题，现提出如下方案种含氮半导体纳米材料的制备方法，该方法包括以下步骤：微乳液法制备超细颗粒；将透明的水滴在油中(w/o)或形成的单分散体系，其微结构的粒径为5～70nm，为w/o(反相胶束)型；油滴在水中(O/W)形成的单分散体系，其微结构的粒径为5～70nm，为O/W型；机理1，A增于水核，B增于水核，A与B在水核内反应；机理2，A增于水核，B存在与溶液中，B进入A的水核中反应；本发明才用多种制备方式制备纳米材料，为用户提供了多种制备选择。

主权项

1.一种含氮半导体纳米材料的制备方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：步骤(1)微乳液法制备超细颗粒；1‑1.将透明的水滴在油中(w/o)或形成的单分散体系，其微结构的粒径为5～70nm，为w/o(反相胶束)型；1‑2.油滴在水中(O/W)形成的单分散体系，其微结构的粒径为5～70nm，为O/W型；1‑3.机理1，A增于水核，B增于水核，A与B在水核内反应；1‑4.机理2，A增于水核，B存在与溶液中，B进入A的水核中反应；1‑5.机理3，A增于水核，B为气体，反应在A的水核进行；步骤(2)模板法合成纳米材料；1‑1.制备纳米粒子，分子筛Na‑Y经离子交换，将Cd离子引上沸石，然后HHS气体在沸石的孔洞内，形成CdS纳米微粒子；1‑2.制备纳米线，在阳极氧化铝模板中用电沉积和氧化法制备规则的In203纳米线，纳米微粒与基质金属共沉积过程中，纳米微粒的存在将影响电结晶过程，使基质金属的晶粒大为细化，基质金属的晶粒成为纳米晶；1‑3.氧化铝模板进入Na2S溶液中约10Min后，加入CdCl2的六偏磷酸钠溶液，制备两端开口的CdS纳米管阵列；步骤(3)分子束外延制备的超晶格和量子阱材料；1‑1.将单晶基片放在10一SPa数量级的超高真空环境下加热蒸发，将膜料组分的原子(或分子)按一定的比例喷射到加热的衬底上外延淀积成薄膜；1‑2.将沉积反应室的压力维持在1.33‑10SPa，电子束直接撞击源材的中心，将单晶基片加热成液体，在液态下，原子从材料中蒸发出来，从射流单元的开口处溢出，沉淀在晶元的表面上；步骤(4)金属有机物化学气相沉淀制备超晶格薄膜；1‑1.在VPE中砷化稼(GaAS)的淀积就是一种卤化物工艺，其热区由nl族卤化物(嫁)形成，冷区淀积11工‑w族化合物；1‑2.在GaAS的金属有机物工艺中,(CH3)3Ga与As进入反应室反应，形成GaAS,反应式为:(CH3)3Ga+AsH3＝GaAS+3CH4；步骤(5)激光烧蚀法制备纳米材料；1‑1.先将混和有一定比例的催化剂靶材粉末压制成块，放入一个高温石英管真空炉中烘烤去气，预处理后将靶材加热到1200℃左右；1‑2.用一束激光消融靶材，同时吹入流量为50cm,/min左右的保护氨气，保持(400～‑700)x133.3Pa的气压，在出气口附近由水冷集合器收集所制备的纳米材料。