[发明专利]含硼氮配位键的高分子化合物及其制备方法与应用有效
申请号: | 201910551951.0 | 申请日: | 2019-06-25 |
公开(公告)号: | CN110229316B | 公开(公告)日: | 2021-01-05 |
发明(设计)人: | 刘俊;窦传冬;赵汝艳;王利祥 | 申请(专利权)人: | 中国科学院长春应用化学研究所 |
主分类号: | C08G61/12 | 分类号: | C08G61/12;H01L51/42;H01L51/46;H01L51/05;H01L51/30 |
代理公司: | 长春众邦菁华知识产权代理有限公司 22214 | 代理人: | 王莹 |
地址: | 130022 吉林*** | 国省代码: | 吉林;22 |
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摘要: |
含硼氮配位键的高分子化合物及其制备方法与应用,属于高分子功能材料与有机电子学技术领域。解决了现有技术中有机共轭高分子化合物迁移率低的技术问题。本发明的高分子化合物的共轭主链含有三个片段,分别为缺电子的双硼氮配位键桥联联吡啶单元、Ar单元、富电子的噻吩单元,结构式如式(I)所示。该高分子化合物具有平面性好,结晶性强,分子间相互作用强等特点,可以大幅提高材料的电子迁移率;化学结构易修饰,能级结构可调控,吸收光谱宽;能够作为有机太阳能电池的受体材料和有机场效应晶体管的电荷传输层材料应用。 |
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搜索关键词: | 含硼氮配位键 高分子化合物 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】:
1.含硼氮配位键的高分子化合物,其特征在于,结构如式(I)所示:
式(I)中,n为2~1000的整数,m为0~10的整数,两个氮原子上的烷基侧链相同或不相同,x为1~20的整数,y为1~20的整数;‑Ar‑为以下结构中的一种:![]()
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