[发明专利]高深宽比沟槽的薄膜填充方法在审
| 申请号： | 201910552443.4 | 申请日： | 2019-06-25 |
| 公开（公告）号： | CN112133673A | 公开（公告）日： | 2020-12-25 |
| 发明（设计）人： | 王雷;刘鲁萍 | 申请（专利权）人： | 中电海康集团有限公司;浙江驰拓科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 北京兰亭信通知识产权代理有限公司 11667 | 代理人： | 赵永刚 |
| 地址： | 311121 浙江省杭州*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种高深宽比沟槽的薄膜填充方法，包括：提供一衬底，在所述衬底上沉积被刻蚀层，在所述被刻蚀层中形成高深宽比的沟槽或通孔；沉积第一介电层薄膜或第一金属层薄膜，所述第一介电层薄膜或第一金属层薄膜完全填充所述沟槽或通孔；当所述第一介电层薄膜或第一金属层薄膜位于所述沟槽或通孔外的部分存在空洞时，进行第一次化学机械抛光、干法刻蚀或者湿法刻蚀，以去除所述空洞；在第一次化学机械抛光、干法刻蚀或者湿法刻蚀后的界面上沉积第二介电层薄膜或第二金属层薄膜。本发明能够去除高深宽比的沟槽或通孔薄膜填充工艺中出现的位于沟槽或通孔之外的介电层或金属层薄膜空洞并改变薄膜电学性能。 | ||
| 搜索关键词： | 高深 沟槽 薄膜 填充 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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