[发明专利]基于磁隧道结的存储器及其读写方法、制作方法有效
| 申请号： | 201910552901.4 | 申请日： | 2019-06-24 |
| 公开（公告）号： | CN110277115B | 公开（公告）日： | 2021-01-01 |
| 发明（设计）人： | 崔岩;罗军;杨美音;许静 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | G11C11/16 | 分类号： | G11C11/16;H01L27/22 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种基于磁隧道结的存储器及其读写方法、制作方法，存储器包括：M×N存储单元交叉点阵列，包含M条字线与N条位线，M≥3，N≥3，每条字线与每条位线的交叉点连接部位为一存储单元，每个存储单元为1晶体管(T)‑1磁性隧道结(MTJ)结构，该晶体管用于读出操作；其中，该M×N存储单元交叉点阵列的每条字线和位线均单独连接一选择晶体管，用于基于交叉点阵列的串扰特性进行特定写操作，不同的字线与位线接入Vcc和GND的供电方式对应不同的特定存储状态。该存储器基于交叉点阵列的串扰特性进行写入操作，对应不同的供电方式产生特定的数据存储状态，在数据存储、数据恢复和数据加密等领域均具有良好的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 隧道 存储器 及其 读写 方法 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种基于磁隧道结的存储器，其特征在于，包括：M×N存储单元交叉点阵列，包含M条字线与N条位线，M≥3，N≥3，每条字线与每条位线的交叉点连接部位为一存储单元，每个存储单元为1晶体管(T)‑1磁性隧道结(MTJ)结构，该晶体管用于读出操作；其中，该M×N存储单元交叉点阵列的每条字线和位线均单独连接一选择晶体管，用于基于交叉点阵列的串扰特性进行特定写操作，不同的字线与位线接入Vcc和GND的供电方式对应不同的特定存储状态。
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