[发明专利]基于硅微纳结构的水伏器件及其制备方法和应用在审
| 申请号： | 201910553041.6 | 申请日： | 2019-06-25 |
| 公开（公告）号： | CN110282594A | 公开（公告）日： | 2019-09-27 |
| 发明（设计）人： | 孙宝全;秦元帅;宋涛 | 申请（专利权）人： | 苏州大学 |
| 主分类号： | B81B3/00 | 分类号： | B81B3/00 |
| 代理公司： | 苏州市中南伟业知识产权代理事务所(普通合伙) 32257 | 代理人： | 冯瑞 |
| 地址： | 215168 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于硅微纳结构的水伏器件的制备方法，包括以下步骤：S1、提供一掺杂的硅片，采用金属辅助刻蚀的方法在所述硅片的正面刻蚀形成硅微纳结构；S2、通过成膜工艺或物理气相沉积的方法，在所述硅片的背面覆盖背电极，所述背电极为金属电极或导电聚合物电极；S3、在所述硅微纳结构的表面印刷栅形电极，即得所述水伏器件。本发明还提供了由上述方法制备的基于硅微纳结构的水伏器件及其应用。本发明的基于硅微纳结构的水伏器件，制备工艺简单、安全，具有优异的功率输出和相对高的电流密度，且对湿气具有高灵敏性，在湿度传感器、新型能源转化技术领域显示出广阔的实际应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 微纳结构 硅片 刻蚀 制备 导电聚合物电极 制备方法和应用 湿气 物理气相沉积 湿度传感器 表面印刷 成膜工艺 功率输出 金属电极 金属辅助 新型能源 栅形电极 制备工艺 背电极 掺杂的 灵敏性 背面 应用 覆盖 转化 安全 | ||
【主权项】：
1.一种基于硅微纳结构的水伏器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、提供一掺杂的硅片，采用金属辅助刻蚀的方法在所述硅片的正面刻蚀形成硅微纳结构；S2、通过成膜工艺或物理气相沉积的方法，在所述硅片的背面覆盖背电极，所述背电极为金属电极或导电聚合物电极；S3、在所述硅微纳结构的正面印刷栅形电极，即得所述水伏器件。
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