[发明专利]用于高密度沟槽电容器的薄膜方案在审
| 申请号： | 201910554517.8 | 申请日： | 2019-06-25 |
| 公开（公告）号： | CN110867433A | 公开（公告）日： | 2020-03-06 |
| 发明（设计）人： | 郑新立;林均颖;杨锦煌;许庭祯;徐英杰;陈彦文 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/64 | 分类号： | H01L23/64;H01L49/02 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 龚诗靖 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明实施例涉及用于高密度沟槽电容器的薄膜方案。本申请案的各种实施例涉及一种具有高电容密度的沟槽电容器及其形成方法。在一些实施例中，所述沟槽电容器上覆于衬底且填充通过所述衬底界定的沟槽。所述沟槽电容器包括下电容器电极、电容器介电质层和上电容器电极。所述电容器介电质层上覆于所述下电容器电极且加衬里于所述沟槽。所述上电容器电极上覆于所述电容器介电质层且在所述电容器介电质层上方加衬里于所述沟槽。所述电容器介电质层包括高介电系数材料。通过针对所述介电质层使用高介电系数材料，所述沟槽电容器可具有适用于配合高性能移动装置使用的高电容密度。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 高密度 沟槽 电容器 薄膜 方案 | ||
【主权项】：
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