[发明专利]X射线金透射光栅的制备方法

摘要

本发明公开了一种X射线金透射光栅的制备方法，该方法先使用金属催化刻蚀技术制作大槽深、侧壁陡直且光滑的硅光栅掩模，然后在硅光栅掩模槽中电镀沉积黄金，最后去掉硅光栅掩模获得大槽深、侧壁陡直且光滑的金透射光栅。本发明与现有技术相比，其有益技术效果体现在：能制作出大槽深、侧壁陡直且光滑的金透射光栅。

主权项

1.一种X射线金透射光栅的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括如下步骤：S1、以SOI硅片为基底，在基底的上表面依次镀金膜和铬膜，在基底下表面镀氮化硅膜，以形成基片；S2、在基片上表面及下表面分别涂覆光刻胶，利用紫外光刻在基片上表面制作支撑结构光刻胶掩模，在基片下表面制作光栅外框光刻胶掩模；S3、分别去除基片上表面及下表面非掩模区域的氮化硅膜和铬膜；S4、去除基片上表面及下表面的光刻胶；S5、在基片上表面依次涂覆减反膜和光刻胶；S6、全息光刻制作光刻胶光栅掩模，光栅掩模的延伸方向垂直于光栅支撑结构的延伸方向；S7、通过反应离子刻蚀将光刻胶光栅掩模图案转移到减反膜中；S8、通过离子束刻蚀将光刻胶光栅掩模图案转移到金膜中；S9、清除基片上表面残余的光刻胶、减反膜和铬膜，并在下表面涂覆保护胶；S10、将基片放入由氢氟酸与氧化剂组成的刻蚀液中进行金属催化刻蚀；S11、把基片放在镀金电解液中，在上表面电镀沉积金；S12、去除基片下表面保护胶，在基片上表面涂覆保护胶；S13、刻蚀掉底层非掩模区域单晶硅；S14、去除上表面的保护胶；S15、刻蚀掉顶层单晶硅；S16、去除氮化硅及窗口内中间SiO₂层，清洗干燥，得到X射线金透射光栅。