[发明专利]一种基于金属纳米颗粒的HJT电池及其制备方法在审
申请号: | 201910555525.4 | 申请日: | 2019-06-25 |
公开(公告)号: | CN110416342A | 公开(公告)日: | 2019-11-05 |
发明(设计)人: | 成秋云;龙会跃;周奇瑞;罗志高;李斌 | 申请(专利权)人: | 湖南红太阳光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/055 | 分类号: | H01L31/055;H01L31/0747;H01L31/18;B82Y20/00 |
代理公司: | 湖南兆弘专利事务所(普通合伙) 43008 | 代理人: | 周长清;何文红 |
地址: | 410205 湖南省*** | 国省代码: | 湖南;43 |
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摘要: | 本发明公开了一种基于金属纳米颗粒的HJT电池及其制备方法,该电池包括N型硅片,其受光面和背光面上依次设有本征非晶硅层、P型掺杂非晶硅层、N型掺杂非晶硅层、第一金属纳米颗粒层、受光面TCO层、背光面TCO层、金属栅线电极。其制备方法包括:对对N型硅片进行制绒清洗,然后依次沉积或制备本征非晶硅层、P型掺杂非晶硅层、N型掺杂非晶硅层、第一金属纳米颗粒层、受光面TCO层、背光面TCO层、金属栅线电极。本发明HJT电池具有光吸收性能好、短路电流高、光电转换效率高等优点,其制备方法具有工艺简单、量产门槛低、制备成本低、兼容性好、生产效率高等优点,对于制备成本低、电学性能优异的HJT电池具有十分重要的意义。 | ||
搜索关键词: | 制备 电池 受光面 金属纳米颗粒层 本征非晶硅层 金属纳米颗粒 金属栅线电极 背光面 背光 光电转换效率 光吸收性能 电学性能 短路电流 生产效率 制绒清洗 兼容性 量产 沉积 门槛 | ||
【主权项】:
1.一种基于金属纳米颗粒的HJT电池,其特征在于,包括N型硅片(1),所述N型硅片(1)的受光面和背光面上分别设有本征非晶硅层(2),所述N型硅片(1)受光面的本征非晶硅层(2)上设有P型掺杂非晶硅层(3),所述N型硅片(1)背光面的本征非晶硅层(2)上设有N型掺杂非晶硅层(4),所述P型掺杂非晶硅层(3)上设有第一金属纳米颗粒层(5),所述第一金属纳米颗粒层(5)上设有受光面TCO层(6),所述N型掺杂非晶硅层(4)上设有背光面TCO层(7),所述受光面TCO层(6)和背光面TCO层(7)上分别设有金属栅线电极(9)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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