[发明专利]一种二维过渡金属硫族化合物能谷极化特性的调控方法有效
| 申请号： | 201910557744.6 | 申请日： | 2019-06-25 |
| 公开（公告）号： | CN110335819B | 公开（公告）日： | 2021-04-30 |
| 发明（设计）人： | 杨伟煌;李华;王高峰;周昌杰 | 申请（专利权）人： | 杭州电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L21/34 | 分类号： | H01L21/34;H01L29/66;C23C14/08;C23C14/24 |
| 代理公司： | 杭州君度专利代理事务所(特殊普通合伙) 33240 | 代理人： | 王桂名 |
| 地址： | 310018 浙江省杭州*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种基于二维单层过渡金属硫族化合物能谷极化特性的调控方法，包括如下步骤：(1)采用化学气相沉积法在基底上生长二维单层过渡金属硫族化合物；(2)采用机械剥离法制备二维铁磁金属；(3)通过对准转移平台，将二维铁磁金属，对准转移到二维单层过渡金属硫族化合物上，形成二维单层过渡金属硫族化合物－二维铁磁金属异质结构；本发明使用二维铁磁金属材料与二维单层过渡金属硫族化合物形成异质结构，可以充分发挥二维材料的柔性、原子级薄厚度特点，有效避免了传统铁磁金属材料与二维材料形成的三维－二维异质结构而破坏二维材料本身特性的问题，可应用于超薄微型化和柔性自旋电子和能谷电子器件等的开发研究。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 二维 过渡 金属 化合物 极化 特性 调控 方法 | ||
【主权项】：
1.一种二维过渡金属硫族化合物能谷极化特性的调控方法，其特征在于包括如下步骤：(1)采用化学气相沉积法在基底上生长二维单层过渡金属硫族化合物；(2)采用机械剥离法制备二维铁磁金属；(3)通过对准转移平台，将二维铁磁金属，对准转移到二维单层过渡金属硫族化合物上，形成二维单层过渡金属硫族化合物－二维铁磁金属异质结构；通过对准转移时的角度控制，实现二维单层过渡金属硫族化合物与二维铁磁金属之间不同的堆垛方式，以调控二维单层过渡金属硫族化合物的能谷极化特性。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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