[发明专利]一种白光发光二极管外延结构及其制作方法在审
| 申请号： | 201910558561.6 | 申请日： | 2019-06-26 |
| 公开（公告）号： | CN110350057A | 公开（公告）日： | 2019-10-18 |
| 发明（设计）人： | 农明涛;庄家铭;贺卫群;祝邦瑞;郭嘉杰 | 申请（专利权）人： | 佛山市国星半导体技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/12;H01L33/14;H01L33/32;H01L33/00 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 胡枫;李素兰 |
| 地址： | 528200 广东省佛山市南海区狮*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种白光发光二极管外延结构及其制作方法，所述外延结构包括依次设置的衬底、缓冲层、N型GaN层、应力释放层、有源层、阻挡层和P型GaN层，所述有源层包括若干个周期的量子阱结构，所述量子阱结构包括若干个蓝光量子阱层、若干个黄光量子阱层和一个GaN量子垒层，所述外延结构在预设驱动电流下激发出黄光和蓝光。本发明外延结构自身可发出白光，不需要添加荧光粉。此外，本发明外延结构制作而成的LED芯片的响应时间快、使用寿命时间长。 | ||
| 搜索关键词： | 外延结构 白光发光二极管 量子阱结构 源层 荧光粉 制作 黄光量子阱 蓝光量子阱 应力释放层 量子垒层 驱动电流 使用寿命 依次设置 缓冲层 阻挡层 白光 衬底 黄光 蓝光 预设 激发 响应 | ||
【主权项】：
1.一种白光发光二极管外延结构，包括依次设置的衬底、缓冲层、N型GaN层、应力释放层、有源层、阻挡层和P型GaN层，其特征在于，所述有源层包括若干个周期的量子阱结构，所述量子阱结构包括若干个蓝光量子阱层、若干个黄光量子阱层和一个GaN量子垒层，所述外延结构在预设驱动电流下激发出黄光和蓝光。
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