[发明专利]磁控等离子体在圆筒内的流动及压力分布研究方法有效

专利信息
申请号: 201910559095.3 申请日: 2019-06-26
公开(公告)号: CN110287600B 公开(公告)日: 2023-04-07
发明(设计)人: 毛保全;白向华;李程;徐振辉;刘宏祥;李华;李元超;王之千 申请(专利权)人: 中国人民解放军陆军装甲兵学院
主分类号: G06F30/28 分类号: G06F30/28;G06F111/10;G06F111/04;G06F113/08;G06F119/14
代理公司: 北京八月瓜知识产权代理有限公司 11543 代理人: 马东瑞
地址: 100072 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明公开了磁控等离子体在圆筒内的流动及压力分布研究方法,属于磁约束等离子体领域,包括以下步骤:S1:计算等离子体流动数值,S2:磁约束等离子体流动程序的验证与分析,S3:研究磁场对圆筒内等离子体流动与压力的分布,S4:研究气体导电率对圆筒内磁约束等离子体流动与压力的分布,S5:得出结论。本发明的研究方法更加的科学合理,建立了圆筒模型,利用FLUENT MHD程序数值模拟了等离子体在圆筒内的流动过程以及压力场的变化,快速分析和讨论了不同磁感应强度和气体电导率对磁约束等离子体在圆筒流动时的速度分布、湍流强度、湍流粘度、洛伦兹体积力、压力分布及温度的影响。
搜索关键词: 等离子体 圆筒 流动 压力 分布 研究 方法
【主权项】:
1.磁控等离子体在圆筒内的流动及压力分布研究方法,其特征在于,包括以下步骤:S1:计算等离子体流动数值,包括以下步骤:S11:建立等离子体的流体动力模型;S12:湍流模型;S13:无量纲参数;S14:基于FLUENT MHD程序的数值计算模型;S2:磁约束等离子体流动程序的验证与分析,包括以下步骤:S21:等截面圆管流动验证;S22:磁流体动力学效应的验证;S23:磁约束等离子体管流压降的验证;S3:研究磁场对圆筒内等离子体流动与压力的分布,包括以下步骤:S31:计算模型与边界条件;S32:计算结果分析;S4:研究气体导电率对圆筒内磁约束等离子体流动与压力的分布,包括以下步骤:S41:计算模型与边界条件;S42:建立电导率模型;S43:计算结果分析;S5:得出结论。
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